某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設備，使現場水質監測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關設備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。未來技術儲備：持續研發光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。安徽PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化

針對植入式醫療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發出的可降解心率監測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。廣東桌面無掩模光刻機光源波長405微米柔性電子：曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設備。

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。

在organ芯片研究中，模擬人體organ微環境需要微米級精度的三維結構。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術，幫助科研團隊在 PDMS 材料上構建出仿生血管網絡與組織界面。某再生醫學實驗室使用 Polos 光刻機，成功制備出肝芯片微通道，其內皮細胞黏附率較傳統方法提升 40%，且可通過軟件實時調整通道曲率，precise模擬肝臟血流動力學。該技術縮短了organ芯片的研發周期，為藥物肝毒性測試提供了更真實的體外模型，相關成果入選《自然?生物技術》年度創新技術案例。成本效益：單次曝光成本低于傳統光刻 1/3，小批量研發更經濟。

Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生，同時低能耗設計（如固態激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。科研成果轉化：中科院利用同類技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。重慶德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。安徽PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級。基于該技術的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。安徽PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化