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金壇區正規電子元器件相關問題

來源: 發布時間:2020-10-02

從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中,與傳統的汞弧整流裝置相比,不jin體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節能效果(一般可節電10~40%,從中國的實際看,因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。金壇區正規電子元器件相關問題

電力二極管:結構和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關速度高,開關損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅動,驅動功率小;缺點:開關速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低;缺點:開關速度低,為電流驅動,所需驅動功率大,驅動電路復雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導調制效應,其通流能力很強;缺點:電流關斷增益很小,關斷時門極負脈沖電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路復雜,開關頻率低 電力MOSFET:開關速度快,輸入阻抗高,熱穩定性好,所需驅動功率小且驅動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點:電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關的速度新北區正規電子元器件網上價格電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安,阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流子(簡稱少子)的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程,卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象,限制它的抗浪涌能力。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類: 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門極可關斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類: 1.電壓驅動型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應晶閘管); 2.電流驅動型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類: 1.脈沖觸發型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類: 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管; 3.復合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。電子元件是電子電路中的基本元素。

事實表明,無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統產業,還是通信、激光、機器人、環保、原子能、航天等高技術產業,都迫切需要高質量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變為人們所需的電能,實現節能環保和提高人民生活質量的重要手段,它已經成為弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造技術之間、傳統產業實現自動化、智能化改造和興建高科技產業之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現,總是帶來一場電力電子技術的**。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟,它對裝置的總價值,尺寸、重量、動態性能,過載能力,耐用性及可靠性等,起著十分重要的作用。電力電子器件的優缺點。梁溪區口碑好的電子元器件誠信服務

電子元件的元件分類:端子與連接器。金壇區正規電子元器件相關問題

各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件,其門極信號既能控制器件的導通,又能控制其關斷,稱全控型器件。后兩類器件控制靈活,電路簡單,開關速度快,廣fan應用于整流、逆變、斬波電路中,是電動機調速、發電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構成裝置不jin體積小、工作可靠,而且節能效果十分明顯(一般可節電10%~40%)。金壇區正規電子元器件相關問題

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