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來源: 發布時間:2020-09-16

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。因此,由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯時,要采取均壓措施;在并聯時,要采取均流措施。 電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發冷卻式等。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。新北區技巧電子元件銷售價格實惠

事實表明,無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統產業,還是通信、激光、機器人、環保、原子能、航天等高技術產業,都迫切需要高質量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變為人們所需的電能,實現節能環保和提高人民生活質量的重要手段,它已經成為弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造技術之間、傳統產業實現自動化、智能化改造和興建高科技產業之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現,總是帶來一場電力電子技術的**。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟,它對裝置的總價值,尺寸、重量、動態性能,過載能力,耐用性及可靠性等,起著十分重要的作用。天寧區電子元件銷售相關問題單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。 80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點,在性能上又有新的發展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優點,結構上避免了一般晶閘管在門極觸發時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,所以比一般晶閘管有更高的開關速度,而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發展過程中所積累起來的各種經驗,又綜合了大規模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態時寄生參數的影響,這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展:2014年,美國奧巴馬政fu連同企業一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,發展新一代寬禁帶電力半導體器件。80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安,阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流子(簡稱少子)的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程,卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象,限制它的抗浪涌能力。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟。武進區質量電子元件銷售價格實惠

功率器件幾乎用于所有的電子制造業。新北區技巧電子元件銷售價格實惠

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