電線 有連接口或終端在盡頭的電線:電源線(Power cord);軟線(Patch cord);示波器探棒(Test lead)。 開關 能夠控制電路的開路或閉路的電子元件:開關(Switch) - 手動操作的開關;Keypad- 一群按鈕開關的集he(例如只能輸入數字的小鍵盤);繼電器(Relay) - 電流操作的開關。它是一種電磁元件,有別于固態繼電器(Solid State Relay);電磁開關:自動調溫器(Thermostat) - 溫度致動的開關;斷路器(Circuit Break) -過電流致動的開關;限位開關(Limit Switch) - 機械式的啟動開關;**開關(Mercury Switch);離心開關(Centrifugal Switch)。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。江陰質量電子器件銷售誠信服務
電子元件是電子電路中的基本元素,通常是個別封裝,并具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構成一個具有特定功能的電子電路,例如:放大器、無線電接收機、振蕩器等,連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨的封裝(電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等),或是各種不同復雜度的群組,例如:集成電路(運算放大器、排阻、邏輯門等)。 電子器件是指在真空、氣體或固體中,利用和控制電子運動規律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關等作用;在數字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲、計數、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩壓和顯示之用。固態電子器件如集成電路。鐘樓區技巧電子器件銷售生產廠家電力電子器件的優缺點。
功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。 國家統計局數據顯示,2010年中國功率器件行業共有規模以上企業498家,全行業實現銷售收入1015.11億元,同比增長6.86%;實現利潤總額85.27億元,同比增長47.54%。從企業經濟類型來看,三資企業數量*多,其企業數量占行業數量的47.19%。從企業數量、銷售收入以及資產規模來看,江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多
從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中,與傳統的汞弧整流裝置相比,不jin體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節能效果(一般可節電10~40%,從中國的實際看,因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟。
按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類: 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門極可關斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類: 1.電壓驅動型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應晶閘管); 2.電流驅動型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類: 1.脈沖觸發型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類: 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管; 3.復合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。電子元件的元件分類:電線與開關。金壇區口碑好的電子器件銷售商城
單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。江陰質量電子器件銷售誠信服務
進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管, 由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現熱激發二次擊穿現象;需要擴大電流容量時,器件并聯簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率;在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大,制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安,阻斷電壓近千伏。江陰質量電子器件銷售誠信服務
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