單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯時，要采取均壓措施；在并聯時，要采取均流措施。 電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發冷卻式等。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。武進區質量電子元件銷售價格實惠

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中，與傳統的汞弧整流裝置相比，不jin體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節能效果（一般可節電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上，每年可節電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。宜興標準電子元件銷售相關問題單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。

電子元件是電子電路中的基本元素，通常是個別封裝，并具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構成一個具有特定功能的電子電路，例如：放大器、無線電接收機、振蕩器等，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨的封裝（電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等），或是各種不同復雜度的群組，例如：集成電路（運算放大器、排阻、邏輯門等）。 電子器件是指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運動規律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關等作用；在數字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲、計數、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩壓和顯示之用。固態電子器件如集成電路。

電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率?。蝗秉c：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外，功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高，中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。 國家統計局數據顯示，2010年中國功率器件行業共有規模以上企業498家，全行業實現銷售收入1015.11億元，同比增長6.86%;實現利潤總額85.27億元，同比增長47.54%。從企業經濟類型來看，三資企業數量*多，其企業數量占行業數量的47.19%。從企業數量、銷售收入以及資產規模來看，江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多電子元件的元件分類：端子與連接器。溧陽環保電子元件銷售誠信服務

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。武進區質量電子元件銷售價格實惠

進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。武進區質量電子元件銷售價格實惠

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