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基爾比之后半年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開(kāi)發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫(kù)爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié)，這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個(gè)晶體管...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

技術(shù)改進(jìn)： 1、將指標(biāo)水準(zhǔn)器改為豎盤(pán)指標(biāo)自動(dòng)補(bǔ)償器，提高了豎直角的觀測(cè)速度與準(zhǔn)確性； 2、軸系也有很大的改進(jìn)，使軸系變得輕便靈活，同時(shí)穩(wěn)定可靠； 3、望遠(yuǎn)鏡也由倒像望遠(yuǎn)鏡改成了正像望遠(yuǎn)鏡； 4、使用光柵盤(pán)或光學(xué)碼盤(pán)，用光電轉(zhuǎn)換元件接...

三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱(chēng)，我們常說(shuō)的三極管，可能有多種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以?xún)?nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展與應(yīng)用以及用戶(hù)的特殊要求與其它工業(yè)技術(shù)的應(yīng)用，全站儀出現(xiàn)了一個(gè)新的發(fā)展時(shí)期，出現(xiàn)了帶內(nèi)存、防水型、防爆型、電腦型等等的全站儀。目前，世界上比較高精度的全站儀：測(cè)角精度（一測(cè)回方向標(biāo)準(zhǔn)偏差）0.52，測(cè)距精度 1mm+1ppm。利用ATR...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴。空穴導(dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤(pán)讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模，大到幾億；小到幾十、幾百個(gè)晶體管。晶體管有兩種狀態(tài)，開(kāi)和關(guān)，用1、0來(lái)表示。多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號(hào)，這些信號(hào)被設(shè)定成特定的功能（即指令和數(shù)據(jù)），來(lái)表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...

型號(hào)的分類(lèi)： 芯片命名方式一般都是：字母+數(shù)字+字母前面的字母是芯片廠(chǎng)商或是某個(gè)芯片系列的縮寫(xiě)。像MC開(kāi)始的多半是摩托羅拉的，MAX開(kāi)始的多半是美信的。中間的數(shù)字是功能型號(hào)。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱(chēng)為晶格。共價(jià)...

導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱(chēng)電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱(chēng)為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱(chēng)為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，...

鍺和硅是**常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非...

信號(hào)發(fā)生器信號(hào)發(fā)生器（包括函數(shù)發(fā)生器）為檢修、調(diào)試電子設(shè)備和儀器時(shí)提供信號(hào)源。它是一種能夠產(chǎn)生一定波形、頻率和幅度的振蕩器。例如：產(chǎn)生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脈沖波等。 晶體管特性圖示儀晶體管特性圖示儀是一種**示波器，它能...

無(wú)錫微原電子科技有限公司，一家在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域嶄露頭角的企業(yè)，以其創(chuàng)新的技術(shù)和***的產(chǎn)品質(zhì)量，正在穩(wěn)步地?cái)U(kuò)大其市場(chǎng)份額。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售高性能的半導(dǎo)體器件，服務(wù)于全球范圍內(nèi)的電子產(chǎn)品制造企業(yè)。半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子設(shè)備的**組件...

空載電流的檢測(cè)。(a) 直接測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開(kāi)路，把萬(wàn)用表置于交流電流擋500mA，串入初級(jí)繞組。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí)，萬(wàn)用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿(mǎn)載電流的10%～20%。一般常見(jiàn)電子設(shè)備電源變壓器的正常空載電...

光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...

1913年斯科特對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了改進(jìn)，偉大的德雷爾火控臺(tái)誕生。也在這年皇家海軍對(duì)自己的主力艦***換裝這套系統(tǒng)，自“無(wú)畏”號(hào)誕生7年之后真正意義上“無(wú)畏艦時(shí)代”來(lái)臨。是否裝備火控指揮系統(tǒng)是區(qū)別無(wú)畏艦與前無(wú)畏艦的主要特征。全站型電子速測(cè)儀（Electronic T...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱(chēng)為容抗，它與交流信號(hào)...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見(jiàn)摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌...

1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

估測(cè)溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測(cè)出電阻值RT2，同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。7 壓敏電阻的檢測(cè)。用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無(wú)窮大，...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過(guò)程稱(chēng)為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱(chēng)為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線(xiàn)或金線(xiàn)，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

將一光源對(duì)準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時(shí)萬(wàn)用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動(dòng)，阻值明顯減些 此值越小說(shuō)明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無(wú)窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開(kāi)路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對(duì)準(zhǔn)入射光線(xiàn)，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動(dòng)，使其間斷...

半導(dǎo)體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型...

通用電子測(cè)量?jī)x器是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，使用場(chǎng)景***，高低端跨度大，是電子工業(yè)發(fā)展和國(guó)家戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性重要產(chǎn)業(yè)之一，常見(jiàn)類(lèi)型包括示波器、射頻類(lèi)儀器、波形發(fā)生器、電源與電子負(fù)載。**儀器以某一個(gè)或幾個(gè)**功能為目的，設(shè)計(jì)制造難度極高，應(yīng)用領(lǐng)域較小，如光纖測(cè)試儀器、電...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒(méi)有升級(jí)，依然處于理論階段，沒(méi)有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...