溫始地送風(fēng)風(fēng)盤 —— 革新家居空氣享受的藝術(shù)品
溫始·未來生活新定義 —— 智能調(diào)濕新風(fēng)機(jī)
秋季舒適室內(nèi)感,五恒系統(tǒng)如何做到?
大眾對五恒系統(tǒng)的常見問題解答?
五恒空調(diào)系統(tǒng)基本概要
如何締造一個舒適的室內(nèi)生態(tài)氣候系統(tǒng)
舒適室內(nèi)環(huán)境除濕的意義
暖通發(fā)展至今,怎樣選擇當(dāng)下產(chǎn)品
怎樣的空調(diào)系統(tǒng)ZUi值得你的選擇?
五恒系統(tǒng)下的門窗藝術(shù):打造高效節(jié)能與舒適并存的居住空間
SGT MOSFET 的導(dǎo)通電阻均勻性對其在大電流應(yīng)用中的性能影響重大。在一些需要通過大電流的電路中,如電動汽車的電池管理系統(tǒng),若導(dǎo)通電阻不均勻,會導(dǎo)致局部發(fā)熱嚴(yán)重,影響系統(tǒng)的安全性與可靠性。SGT MOSFET 通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)與制造工藝,能有效保證導(dǎo)通電阻的均...
在電動工具領(lǐng)域,如電鉆、電鋸等,SGT MOSFET 用于電機(jī)驅(qū)動。電動工具工作時(shí)電流變化頻繁且較大,SGT MOSFET 良好的電流承載能力與快速開關(guān)特性,可使電機(jī)在不同負(fù)載下快速響應(yīng),提供穩(wěn)定的動力輸出。其高效的能量轉(zhuǎn)換還能延長電池供電的電動工具的使用時(shí)間...
在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域,如便攜式超聲診斷儀,對設(shè)備的小型化與低功耗有嚴(yán)格要求。SGT MOSFET 緊湊的芯片尺寸可使超聲診斷儀在更小的空間內(nèi)集成更多功能。其低功耗特性可延長設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間,方便醫(yī)生在不同場景下使用,為醫(yī)療診斷提供更便捷、高效的設(shè)備支持。在戶外醫(yī)療救...
工業(yè) UPS 不間斷電源在電力中斷時(shí)為關(guān)鍵設(shè)備提供持續(xù)供電,保障工業(yè)生產(chǎn)的連續(xù)性。Trench MOSFET 應(yīng)用于 UPS 的功率轉(zhuǎn)換和控制電路。在 UPS 的逆變器部分,Trench MOSFET 將電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,為負(fù)載供電。低導(dǎo)通電阻降低了轉(zhuǎn)...
電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)需要快速響應(yīng)駕駛者的轉(zhuǎn)向操作,并提供精細(xì)的助力。Trench MOSFET 應(yīng)用于 EPS 系統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動部分。以一款緊湊型電動汽車的 EPS 系統(tǒng)為例,Trench MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使得電機(jī)驅(qū)動電路的功率損耗降低,系統(tǒng)發(fā)熱減少。在車...
在電動汽車應(yīng)用中,選擇 Trench MOSFET 器件首先要關(guān)注關(guān)鍵性能參數(shù)。對于主驅(qū)動逆變器,器件需具備低導(dǎo)通電阻(Ron),以降低電能轉(zhuǎn)換損耗,提升系統(tǒng)效率。例如,在大功率驅(qū)動場景下,導(dǎo)通電阻每降低 1mΩ,就能減少逆變器的發(fā)熱和功耗。同時(shí),高開關(guān)速度也...
SGT MOSFET 的基本結(jié)構(gòu)與工作原理 SGT(Shielded Gate Trench)MOSFET 是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,其結(jié)構(gòu)采用溝槽柵(Trench Gate)設(shè)計(jì),并在柵極周圍引入屏蔽層(Shield Electrode),以優(yōu)化...
工業(yè)加熱設(shè)備如注塑機(jī)、工業(yè)烤箱等,對溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求極高。Trench MOSFET 應(yīng)用于這些設(shè)備的溫度控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對加熱元件的精確控制。在注塑生產(chǎn)過程中,注塑機(jī)的料筒需要精確控制溫度以保證塑料的熔融質(zhì)量。Trench MOSFET 通過控制加熱...
從市場競爭的角度看,隨著 SGT MOSFET 技術(shù)的成熟,越來越多的半導(dǎo)體廠商開始布局該領(lǐng)域。各廠商通過不斷優(yōu)化工藝、降低成本、提升性能來爭奪市場份額。這促使 SGT MOSFET 產(chǎn)品性能不斷提升,價(jià)格逐漸降低,為下游應(yīng)用廠商提供了更多選擇,推動了整個 S...
近年來,SGT MOSFET的技術(shù)迭代圍繞“更低損耗、更高集成度”展開。一方面,通過3D結(jié)構(gòu)創(chuàng)新(如雙屏蔽層、超結(jié)+SGT混合設(shè)計(jì)),廠商進(jìn)一步突破了RDS(on)*Qg的物理極限。以某系列為例,其40V產(chǎn)品的RDS(on)低至0.5mΩ·mm2,Qg比前代減...
從制造工藝的角度看,SGT MOSFET 的生產(chǎn)過程較為復(fù)雜。以刻蝕工序?yàn)槔瑸閷?shí)現(xiàn)深溝槽結(jié)構(gòu),需精細(xì)控制刻蝕深度與寬度。相比普通溝槽 MOSFET,其刻蝕深度要求更深,通常要達(dá)到普通工藝的數(shù)倍。在形成屏蔽柵極時(shí),對多晶硅沉積的均勻性把控極為關(guān)鍵。稍有偏差,就...
在碳中和目標(biāo)的驅(qū)動下,SGT MOSFET憑借其高效率、高功率密度特性,成為新能源和電動汽車電源系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。以電動汽車的車載充電器(OBC)為例,其前端AC-DC整流電路需處理3-22kW的高功率,同時(shí)滿足95%以上的能效標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)超級結(jié)MOSFET雖耐壓...
應(yīng)用場景與市場前景 SGT MOSFET廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)電源和新能源領(lǐng)域。在消費(fèi)類快充中,其高頻特性可縮小變壓器體積,實(shí)現(xiàn)100W+的PD協(xié)議適配器;在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源中,低損耗特性助力48V-12V轉(zhuǎn)換效率突破98%。未來,隨著5G基站和...
Trench MOSFET 在工作過程中會產(chǎn)生噪聲,這些噪聲會對電路的性能產(chǎn)生影響,尤其是在對噪聲敏感的應(yīng)用場合。其噪聲主要包括熱噪聲、閃爍噪聲等。熱噪聲是由載流子的隨機(jī)熱運(yùn)動產(chǎn)生的,與器件的溫度和電阻有關(guān);閃爍噪聲則與器件的表面狀態(tài)和工藝缺陷有關(guān)。通過優(yōu)化器...
優(yōu)化的電容特性(C<sub>ISS</sub>, C<sub>OSS</sub>, C<sub>RSS</sub>) SGT MOSFET 的電容參數(shù)(輸入電容 C<sub>ISS</sub>、輸出電容 C<sub>OSS</sub>、反向傳輸電容 ...
雪崩能量(UIS)與可靠性設(shè)計(jì) SGTMOSFET的雪崩耐受能力是其可靠性的關(guān)鍵指標(biāo)。通過以下設(shè)計(jì)提升UIS:1終端結(jié)構(gòu)優(yōu)化,采用場限環(huán)(FieldRing)和場板(FieldPlate)組合設(shè)計(jì),避免邊緣電場集中;2動態(tài)均流技術(shù),通過多胞元并聯(lián)布局...
電吹風(fēng)機(jī)的風(fēng)速和溫度調(diào)節(jié)依賴于精確的電機(jī)和加熱絲控制。Trench MOSFET 應(yīng)用于電吹風(fēng)機(jī)的電機(jī)驅(qū)動和加熱絲控制電路。在電機(jī)驅(qū)動方面,其低導(dǎo)通電阻使電機(jī)運(yùn)行更加高效,降低了電能消耗,同時(shí)寬開關(guān)速度能夠快速響應(yīng)風(fēng)速調(diào)節(jié)指令,實(shí)現(xiàn)不同檔位風(fēng)速的平穩(wěn)切換。在加...
Trench MOSFET 在工作過程中會產(chǎn)生熱量,熱管理對其性能和壽命至關(guān)重要。由于其功率密度高,熱量集中在較小的芯片面積上,容易導(dǎo)致芯片溫度升高。過高的溫度會使器件的導(dǎo)通電阻增大,開關(guān)速度下降,甚至引發(fā)熱失控,造成器件損壞。因此,有效的熱管理設(shè)計(jì)必不可少。...
在工業(yè)自動化生產(chǎn)線中,大量的電機(jī)與執(zhí)行機(jī)構(gòu)需要精確控制。SGT MOSFET 用于自動化設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動與控制電路,其精確的電流控制與快速的開關(guān)響應(yīng),能使設(shè)備運(yùn)動更加精細(xì)、平穩(wěn),提高生產(chǎn)線上產(chǎn)品的加工精度與生產(chǎn)效率,滿足工業(yè)自動化對高精度、高效率的要求。在汽車制...
SGTMOSFET柵極下方的屏蔽層(通常由多晶硅或金屬構(gòu)成)通過靜電屏蔽效應(yīng),將原本集中在柵極-漏極之間的電場轉(zhuǎn)移至屏蔽層,從而有效降低了柵漏電容(Cgd)。這一改進(jìn)直接提升了器件的開關(guān)速度——在開關(guān)過程中,Cgd的減小減少了米勒平臺效應(yīng),使得開關(guān)損耗(Eos...
在電動工具領(lǐng)域,如電鉆、電鋸等,SGT MOSFET 用于電機(jī)驅(qū)動。電動工具工作時(shí)電流變化頻繁且較大,SGT MOSFET 良好的電流承載能力與快速開關(guān)特性,可使電機(jī)在不同負(fù)載下快速響應(yīng),提供穩(wěn)定的動力輸出。其高效的能量轉(zhuǎn)換還能延長電池供電的電動工具的使用時(shí)間...
優(yōu)異的反向恢復(fù)特性(Q<sub>rr</sub>) 傳統(tǒng)MOSFET的體二極管在反向恢復(fù)時(shí)會產(chǎn)生較大的Q<sub>rr</sub>,導(dǎo)致開關(guān)損耗和電壓尖峰。而SGTMOSFET通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和摻雜工藝,大幅降低了體二極管的反向恢復(fù)電荷(Q<sub>rr...
Trench MOSFET 存在多種寄生參數(shù),這些參數(shù)會對器件的性能產(chǎn)生不可忽視的影響。其中,寄生電容(如柵源電容、柵漏電容、漏源電容)會影響器件的開關(guān)速度和頻率特性。在高頻應(yīng)用中,寄生電容的充放電過程會消耗能量,增加開關(guān)損耗。寄生電感(如封裝電感)則會在開關(guān)...
在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域,如便攜式超聲診斷儀,對設(shè)備的小型化與低功耗有嚴(yán)格要求。SGT MOSFET 緊湊的芯片尺寸可使超聲診斷儀在更小的空間內(nèi)集成更多功能。其低功耗特性可延長設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間,方便醫(yī)生在不同場景下使用,為醫(yī)療診斷提供更便捷、高效的設(shè)備支持。在戶外醫(yī)療救...
工業(yè)電力系統(tǒng)常常需要穩(wěn)定的直流電源,DC-DC 轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵設(shè)備,Trench MOSFET 在此發(fā)揮重要作用。在數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng)系統(tǒng)中,DC-DC 轉(zhuǎn)換器用于將高壓直流母線電壓轉(zhuǎn)換為服務(wù)器所需的低壓直流電壓。Trench MOSFET 的低導(dǎo)...
電動汽車的空調(diào)系統(tǒng)對于提升駕乘舒適性十分重要。空調(diào)壓縮機(jī)的高效驅(qū)動離不開 Trench MOSFET。在某款純電動汽車的空調(diào)系統(tǒng)中,Trench MOSFET 用于驅(qū)動空調(diào)壓縮機(jī)電機(jī)。其寬開關(guān)速度允許壓縮機(jī)電機(jī)實(shí)現(xiàn)高頻調(diào)速,能根據(jù)車內(nèi)溫度需求快速調(diào)整制冷量。低...
吸塵器需要強(qiáng)大且穩(wěn)定的吸力,這就要求電機(jī)能夠高效運(yùn)行。Trench MOSFET 應(yīng)用于吸塵器的電機(jī)驅(qū)動電路,助力提升吸塵器性能。其低導(dǎo)通電阻特性減少了電機(jī)運(yùn)行時(shí)的能量損耗,使電機(jī)能夠以更高的效率將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,產(chǎn)生強(qiáng)勁的吸力。在某款手持式無線吸塵器中,T...
電動牙刷依靠高頻振動來清潔牙齒,這對電機(jī)的穩(wěn)定性和驅(qū)動效率要求很高。Trench MOSFET 在電動牙刷的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中扮演著重要角色。由于 Trench MOSFET 具備低導(dǎo)通電阻,可有效降低電機(jī)驅(qū)動電路的功耗,延長電動牙刷電池的使用時(shí)間。以一款聲波電動...
Trench MOSFET 因其出色的性能,在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在消費(fèi)電子設(shè)備中,如筆記本電腦、平板電腦等,其低導(dǎo)通電阻和高功率密度特性,有助于延長電池續(xù)航時(shí)間,提升設(shè)備的整體性能與穩(wěn)定性。在電源領(lǐng)域,包括開關(guān)電源(SMPS)、直流 - 直流(DC - D...
屏蔽柵極與電場耦合效應(yīng) SGT MOSFET 的關(guān)鍵創(chuàng)新在于屏蔽柵極(Shielded Gate)的引入。該電極通過深槽工藝嵌入柵極下方并與源極連接,利用電場耦合效應(yīng)重新分布器件內(nèi)部的電場強(qiáng)度。傳統(tǒng) MOSFET 的電場峰值集中在柵極邊緣,易引發(fā)局部...