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三維微納結構的跨尺度加工技術：跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造，滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構建跨3個數量級的微結構。例如，在類***培養芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養物質輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設計，先進行納米結構制備（如EBL定義細胞外基質蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機械加工完成宏觀接口，各層結構對準誤差＜±2μm。該技術...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

基于MEMS技術的SAW器件的工作模式和原理： 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產生聲波，并通過襯底進行傳播，然后轉換成電信號輸出。聲表面波傳感器中起主導作用的主要是壓電效應，其設計時需要考慮多種因素:如相對尺寸、敏感性、效率等。一般地，無線無源聲表面波傳感器的信號頻率范圍從40MHz到幾個GHz。圖2所示為聲表面波傳感器常見的結構，主要部分包括壓電襯底天線、敏感薄膜、IDT等。傳感器的敏感層通過改變聲表面波的速度來實現頻率的變化。 無線無源聲表面波系統包:發射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發射器和接收器組合成收發器或者解讀器的...

加速度傳感器是很早廣泛應用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結構為主的技術，可以通過設計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質量塊（proofmass）。質量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當感應到加速度時，質量塊相對底座產生位移。通過一些換能技術可以將位移轉換為電能，如果采用電容式傳感結構（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結構可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景： 在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景，近年來受到學術界的關注。基于微米納米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設計，獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 高壓 SOI 工藝實現芯片內高壓驅動與低壓控制集成，耐壓超 200V 并降低寄...

在MEMS微納加工領域，公司通過“材料創新+工藝突破”雙輪驅動，為醫療健康、生物傳感等場景提供高精度、定制化的微納器件解決方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS產線，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬質塑料等多種基材的微納結構，覆蓋從納米級（0.5-5μm）到百微米級（10-100μm）的尺度需求。其**技術包括深硅刻蝕、親疏水改性、多重轉印工藝等，能夠實現復雜三維微流道、高深寬比微孔陣列及柔性電極的精密成型，滿足腦機接口、類***電生理研究、微針給藥等前沿醫療應用的嚴苛要求。太赫茲柔性電極以 PI 為基底構建雙面結構，適用于非侵入式生物檢測與材料無損探測。黑龍江MEMS微納米加工電話 ME...

微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝技術：微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝實現了流體通道與固態電極的無縫集成，適用于電化學檢測、電滲流驅動等場景。加工過程中，首先在硅片或玻璃基板上制備微流道（深度50-200μm，寬度100-500μm），然后將預加工的金屬片電極（如不銹鋼、金箔）嵌入流道側壁，通過導電膠（銀膠或碳膠）固定，確保電極與流道內壁齊平，間隙＜5μm。鍵合采用熱壓或紫外固化膠密封，耐壓＞100kPa，漏電流＜1nA。金屬片電極的表面積可根據需求設計，如5mm×5mm的金電極，電化學活性面積達20mm2，適用于痕量物質檢測。在水質監測芯片中，鑲嵌的鉑電極可實時檢測溶解氧濃度，響應時間＜10秒，檢測...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結構強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥物遞送領域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆粒或導電聚合物，集成阻抗/伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯用，可同步完成樣本提取、預處理與信號分析，將皮膚間質液檢測的全程時...

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行...

在MEMS微納加工領域，公司通過“材料創新+工藝突破”雙輪驅動，為醫療健康、生物傳感等場景提供高精度、定制化的微納器件解決方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS產線，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬質塑料等多種基材的微納結構，覆蓋從納米級（0.5-5μm）到百微米級（10-100μm）的尺度需求。其**技術包括深硅刻蝕、親疏水改性、多重轉印工藝等，能夠實現復雜三維微流道、高深寬比微孔陣列及柔性電極的精密成型，滿足腦機接口、類***電生理研究、微針給藥等前沿醫療應用的嚴苛要求。EBL設備制備納米級超透鏡器件的原理是什么？寧夏MEMS微納米加工廠家微流控芯片的自動化檢測與統計分析：公司建立了基于...

國內政策大力推動MEMS產業發展：國家政策大力支持傳感器發展，國內MEMS企業擁有好的發展環境。我國高度重視MEMS和傳感器技術發展，在2017年工信部出臺的《智能傳感器產業三年行動指南（2017-2019）》中，明確指出要著力突破硅基MEMS加工技術、MEMS與互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成、非硅模塊化集成等工藝技術，推動發展器件級、晶圓級MEMS封裝和系統級測試技術。國家政策高度支持MEMS制造企業研發創新，政策驅動下，國內MEMS制造企業獲得發展良機。全球及中國mems芯片市場有哪些？西藏MEMS微納米加工共同合作神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝技術：微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝實現了流體通道與固態電極的無縫集成，適用于電化學檢測、電滲流驅動等場景。加工過程中，首先在硅片或玻璃基板上制備微流道（深度50-200μm，寬度100-500μm），然后將預加工的金屬片電極（如不銹鋼、金箔）嵌入流道側壁，通過導電膠（銀膠或碳膠）固定，確保電極與流道內壁齊平，間隙＜5μm。鍵合采用熱壓或紫外固化膠密封，耐壓＞100kPa，漏電流＜1nA。金屬片電極的表面積可根據需求設計，如5mm×5mm的金電極，電化學活性面積達20mm2，適用于痕量物質檢測。在水質監測芯片中，鑲嵌的鉑電極可實時檢測溶解氧濃度，響應時間＜10秒，檢測...

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵...

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致...

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。 慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

超聲影像芯片的全集成MEMS設計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發需求，公司開發了**SoC超聲收發芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現發射與開關復用，大幅節省芯片面積的同時提升性能。在發射端，通過MEMS高壓驅動電路設計，實現±100V峰值輸出電壓與1A持續輸出電流，較TI同類產品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達100Msps，信噪比（SNR）達73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術，實現3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優化版圖布局與寄...

微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝技術：微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝實現了流體通道與固態電極的無縫集成，適用于電化學檢測、電滲流驅動等場景。加工過程中，首先在硅片或玻璃基板上制備微流道（深度50-200μm，寬度100-500μm），然后將預加工的金屬片電極（如不銹鋼、金箔）嵌入流道側壁，通過導電膠（銀膠或碳膠）固定，確保電極與流道內壁齊平，間隙＜5μm。鍵合采用熱壓或紫外固化膠密封，耐壓＞100kPa，漏電流＜1nA。金屬片電極的表面積可根據需求設計，如5mm×5mm的金電極，電化學活性面積達20mm2，適用于痕量物質檢測。在水質監測芯片中，鑲嵌的鉑電極可實時檢測溶解氧濃度，響應時間＜10秒，檢測...

MEMS制作工藝-太赫茲傳感器： 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復合型電磁材料,通過合理的設計單元結構可實現特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負折射等特性。目前,隨著太赫茲技術的快速發展,太赫茲超材料器件已成為當前科研的研究熱點,在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領域有著廣闊的應用前景。 這項研究提出了一種全光學、端到端的衍射傳感器，用于快速探測隱藏結構。這種衍射太赫茲傳感器具有獨特的架構，由一對編碼器和解碼器構成的衍射網絡組成，每個網絡都承擔著結構化照明和空間光譜編碼的獨特職責，這種設計較為新穎。基...

熱壓印技術在硬質塑料微流控芯片中的應用：熱壓印技術是實現PMMA、PS、COC、COP等硬質塑料微結構快速成型的**工藝，較傳統注塑工藝具有成本低、周期短、圖紙變更靈活等優勢。工藝流程包括：首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具，微結構高度5-100μm，側壁垂直度＞89°；然后將塑料基板加熱至玻璃化轉變溫度以上（如PMMA為110℃），在5-10MPa壓力下將模具結構轉印至基板，冷卻后脫模。該技術可實現0.5μm的特征尺寸分辨率，流道尺寸誤差＜±1%，適用于微流道、微孔陣列、透鏡陣列等結構加工。以數字PCR芯片為例，熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列，單芯片可容納20,000個反應單元，配合熒光...

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料： 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應用，如透明導體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應用于薄膜晶體管方面正受到相當的關注。同時氧化鋅還具有相當良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應用于柔性電子領域，包括石墨烯、半導體氧化物，納米金等。2014年發表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經典...

MEMS發展的目標在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統，開辟一個新技術領域和產業。MEMS可以完成大尺寸機電系統所不能完成的任務，也可嵌入大尺寸系統中，把自動化、智能化和可靠性水平提高到一個新的水平。21世紀MEMS將逐步從實驗室走向實用化，對工農業、信息、環境、生物工程、醫療、空間技術和科學發展產生重大影響。MEMS(微機電系統)大量用于汽車安全氣囊，而后以MEMS傳感器的形式被大量應用在汽車的各個領域，隨著MEMS技術的進一步發展，以及應用終端“輕、薄、短、小”的特點，對小體積高性能的MEMS產品需求增勢迅猛，消費電子、醫療等領域也大量出現了MEMS產品的身影。柔性電極...

基于MEMS技術的SAW器件： 聲表面波(SAW)傳感器是近年來發展起來的一種新型微聲傳感器，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來，并轉換成電信號輸出的傳感器。聲表面波傳感器能夠精確測量物理、化學等信息(如溫度、應力、氣體密度)。由于體積小，聲表面波器件被譽為開創了無線、小型傳感器的新紀元，同時，其與集成電路兼容性強，在模擬數字通信及傳感領域獲得了廣泛的應用。聲表面波傳感器能將信號集中于基片表面、工作頻率高，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測到的信息轉換為電信號輸出，具有實時信息檢測的特性，另外，聲表面波傳感器還具有微...

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料： 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應用，如透明導體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應用于薄膜晶體管方面正受到相當的關注。同時氧化鋅還具有相當良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應用于柔性電子領域，包括石墨烯、半導體氧化物，納米金等。2014年發表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經典...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應，然后流延成膜，然后經過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優點，如高絕緣性、良好的粘結性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業中，柔性PI膜因其優越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。汽車上的ME...