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MEMS超表面對(duì)特性的調(diào)控： 1.超表面meta-surface對(duì)偏振的調(diào)控：在偏振方面，超表面可實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。 2.超表面meta-surface對(duì)振幅的調(diào)控。超表面可以實(shí)現(xiàn)光的非對(duì)稱(chēng)透過(guò)、消反射、增透射、磁鏡、類(lèi)E...

微機(jī)電系統(tǒng)是微米大小的機(jī)械系統(tǒng)，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產(chǎn)生的系統(tǒng)。這些系統(tǒng)的大小一般在微米到毫米之間。在這個(gè)大小范圍中日常的物理經(jīng)驗(yàn)往往不適用。比如由于微機(jī)電系統(tǒng)的面積對(duì)體積比比一般日常生活中的機(jī)械系統(tǒng)要大得多，其表面現(xiàn)象如靜電、潤(rùn)濕等比體積現(xiàn)象如慣...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 2、汽車(chē)MEMS壓力傳感器主要應(yīng)用在測(cè)量氣囊壓力、燃油壓力、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力、進(jìn)氣管道壓力及輪胎壓力。這種傳感器用單晶硅作材料，以采用MEMS技術(shù)在材料中間制作成力敏膜片，然后在膜片上擴(kuò)散雜質(zhì)形成四只應(yīng)變電阻，再以...

智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速滲透，拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng)：今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%；智能手機(jī)整體出貨量方面，在5G的帶動(dòng)下，根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè)，2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11...

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW： 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆ǎ軌蛟诩孀鱾髀暯橘|(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門(mén)邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬(wàn)倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理： 聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個(gè)聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實(shí)現(xiàn)聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能...

大部分用戶(hù)對(duì)汽車(chē)、打印機(jī)內(nèi)的MEMS無(wú)感，這些器件與用戶(hù)中間經(jīng)過(guò)了數(shù)層中介。但是可穿戴/直接與用戶(hù)接觸，提升消費(fèi)者科技感，更受年輕用戶(hù)喜愛(ài)，例子可見(jiàn)Fitbit等健身手環(huán)。該領(lǐng)域重要的主要有三大塊：消費(fèi)、健康及工業(yè)，我們?cè)诖酥饕懻摳荜P(guān)注的前兩者。消費(fèi)領(lǐng)域的...

主要由傳感器、作動(dòng)器（執(zhí)行器）和微能源三大部分組成，但現(xiàn)在其主要都是傳感器比較多。 特點(diǎn)：1.和半導(dǎo)體電路相同，使用刻蝕，光刻等微納米MEMS制造工藝，不需要組裝，調(diào)整；2.進(jìn)一步的將機(jī)械可動(dòng)部，電子線路，傳感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方...

微流控芯片的組成：微流控芯片由主體芯片、流體控制模塊、信號(hào)采集模塊和外部控制模塊組成。主體芯片是一個(gè)微通道網(wǎng)絡(luò)，由微流道、微閥門(mén)、微泵等構(gòu)成；流體控制模塊負(fù)責(zé)流體的輸入、輸出和控制；信號(hào)采集模塊用于采集傳感器的信號(hào)；外部控制模塊用于控制芯片的操作。 ...

什么是微流控技術(shù)？微流控技術(shù)是一門(mén)精確控制和操縱流體的科學(xué)技術(shù)，這些流體在幾何空間上被限制在小規(guī)模流道中，通常流道系統(tǒng)的直徑低于100μm。對(duì)于科學(xué)家和工程師來(lái)講，微流體一詞的使用方式存在不同；對(duì)許多教授來(lái)說(shuō)，微流控是一個(gè)科學(xué)領(lǐng)域，主要應(yīng)用于通過(guò)直徑在100微...

微流控芯片反應(yīng)信號(hào)的收集和分析的難題：由于反應(yīng)體系較小，故而只產(chǎn)生較低的信號(hào)強(qiáng)度，如何收集并分析芯片中產(chǎn)生的信號(hào)，是微流控芯片研究的另一項(xiàng)重點(diǎn)，因此，微流控芯片大多需要龐大的信號(hào)讀取和分析設(shè)備。近年來(lái)便攜性、自動(dòng)化、敏感的新型微流控芯片讀取設(shè)備受到科研人員關(guān)注...

微流控芯片反應(yīng)信號(hào)的收集和分析的難題：由于反應(yīng)體系較小，故而只產(chǎn)生較低的信號(hào)強(qiáng)度，如何收集并分析芯片中產(chǎn)生的信號(hào)，是微流控芯片研究的另一項(xiàng)重點(diǎn)，因此，微流控芯片大多需要龐大的信號(hào)讀取和分析設(shè)備。近年來(lái)便攜性、自動(dòng)化、敏感的新型微流控芯片讀取設(shè)備受到科研人員關(guān)注...

心臟組織微流控芯片（HoC）是一種先進(jìn)的OoC，它模仿了服用劑型或特定藥物分子后人類(lèi)心臟的整體生理學(xué)。使用該芯片已經(jīng)觀察到一些不良反應(yīng)。Mathur等人在2015年證明了動(dòng)物試驗(yàn)不足以估計(jì)測(cè)試藥物分子相對(duì)于人體的確切藥代動(dòng)力學(xué)和藥效學(xué)。為此，微流控芯片技術(shù)在心...

腸道微流控芯片（GoC）：GoC系統(tǒng)模仿人類(lèi)腸道的生理學(xué)。它解釋了腸道的主要功能，即消化、營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)的吸收、腸神經(jīng)的調(diào)節(jié)、體內(nèi)廢物的排泄、以及伴隨微生物共生體的人體腸道的病理生理學(xué)。GoC模型主要用于精確復(fù)制具有所需微流控參數(shù)的腸道體內(nèi)環(huán)境。Kim等人研究了當(dāng)人...

先前報(bào)道了微流控芯片的另一項(xiàng)采用體外細(xì)胞培養(yǎng)技術(shù)的研究，其中軸突和體細(xì)胞被物理分離，從而允許軸突通過(guò)微通道。借助這項(xiàng)技術(shù)，神經(jīng)科學(xué)家可以研究軸突本身的特征，或者可以確定藥物對(duì)軸突部分的作用，并可以分析軸突切斷術(shù)后的軸突再生。值得一提的是，微通道可能會(huì)對(duì)組織或細(xì)...

MEMS制作工藝-太赫茲傳感器： 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長(zhǎng)金屬諧振的單元陣列組成的人工復(fù)合型電磁材料,通過(guò)合理的設(shè)計(jì)單元結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負(fù)折射等特性。目前,隨著太赫茲技術(shù)的快速發(fā)展,太...

大部分用戶(hù)對(duì)汽車(chē)、打印機(jī)內(nèi)的MEMS無(wú)感，這些器件與用戶(hù)中間經(jīng)過(guò)了數(shù)層中介。但是可穿戴/直接與用戶(hù)接觸，提升消費(fèi)者科技感，更受年輕用戶(hù)喜愛(ài)，例子可見(jiàn)Fitbit等健身手環(huán)。該領(lǐng)域重要的主要有三大塊：消費(fèi)、健康及工業(yè)，我們?cè)诖酥饕懻摳荜P(guān)注的前兩者。消費(fèi)領(lǐng)域的...

通過(guò)MEMS技術(shù)制作的生物傳感器，圍繞細(xì)胞分選檢測(cè)、生物分子檢測(cè)、人工聽(tīng)覺(jué)微系統(tǒng)等方向，突破了高通量細(xì)胞圖形化、片上細(xì)胞聚焦分選、耳蝸內(nèi)聲電混合刺激、高時(shí)空分辨率相位差分檢測(cè)等一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)，取得了一批原創(chuàng)性成果，研制了具有世界很高水平的高通量...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 2、汽車(chē)MEMS壓力傳感器主要應(yīng)用在測(cè)量氣囊壓力、燃油壓力、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力、進(jìn)氣管道壓力及輪胎壓力。這種傳感器用單晶硅作材料，以采用MEMS技術(shù)在材料中間制作成力敏膜片，然后在膜片上擴(kuò)散雜質(zhì)形成四只應(yīng)變電阻，再以...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過(guò)非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位，從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率，吸收系數(shù)等。 2...

MEMS技術(shù)的主要分類(lèi)：光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合，即綜合微電子、微機(jī)械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù)，開(kāi)發(fā)新型光器件，稱(chēng)為微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEM...

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW： 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆ǎ軌蛟诩孀鱾髀暯橘|(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門(mén)邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬(wàn)倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣...

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料： 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導(dǎo)體材料（室溫下3.4 eV，晶體），它有很多應(yīng)用，如透明導(dǎo)體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測(cè)器。并因?yàn)榭赡軕?yīng)用于薄膜晶體管方面正受到相當(dāng)?shù)年P(guān)注。同時(shí)氧化鋅還具...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)： 3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時(shí)，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。 4.聲表面波器件的抗輻射能力...

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應(yīng)氣體生成反應(yīng)活性高的離子和電子，對(duì)硅片進(jìn)行物理轟擊及化學(xué)反應(yīng)，以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質(zhì)變成揮發(fā)性的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離，然后按照設(shè)計(jì)圖形要求...

MEMS繼電器與開(kāi)關(guān)。其優(yōu)勢(shì)是體積小（密度高，采用微工藝批量制造從而降低成本），速度快，有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產(chǎn)品可靠性。其尺寸微小，接近于固態(tài)開(kāi)關(guān)，而電路通斷采用與機(jī)械接觸（也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式），...

駕駛輔助系統(tǒng)升級(jí)帶動(dòng)MEMS＆傳感器價(jià)值提升。自動(dòng)駕駛已成大趨勢(shì)，環(huán)境信息的感知是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛的基礎(chǔ)，越高級(jí)別的自動(dòng)駕駛對(duì)信息感知能力的需求越高，對(duì)應(yīng)的MEMS＆傳感器用量和價(jià)值量也會(huì)相應(yīng)提升。根據(jù)NXP和Strategy analysis的數(shù)據(jù)，L1/2級(jí)別...

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測(cè)： 光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機(jī)理的逆過(guò)程發(fā)展起來(lái)的一種探測(cè)THz脈沖信號(hào)的探測(cè)技術(shù)。如要對(duì)THz脈沖信號(hào)進(jìn)行探測(cè)，首先，需將一個(gè)未加偏置電壓的P...

物聯(lián)網(wǎng)普及極大拓展MEMS應(yīng)用場(chǎng)景。物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺(tái)層和應(yīng)用層，MEMS器件是物聯(lián)網(wǎng)感知層重要組成部分。物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展帶動(dòng)智能終端設(shè)備普及，推動(dòng)MEMS需求放量，據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)GSMA統(tǒng)計(jì)，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量已從2010...

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：在半導(dǎo)體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣，各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行...