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在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基...

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。BG1、BG2由于受到反向...

可控硅電源前級(jí)不可控全橋整流，不會(huì)在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢(shì)：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通。制作...

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引...

對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。上海特色可控硅電源注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的...

不會(huì)在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢(shì)：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單、進(jìn)出料靈活、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn)；...

綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:計(jì)算公式接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。嘉定區(qū)新時(shí)代可控硅電源但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫...

這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍...

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么，在電壓過零時(shí)，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕...

由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí)，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí)，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓，并用符號(hào)U12表示。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通，這時(shí)的電流為I12，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線，如圖4中第三象限所示...

反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)...

中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單、進(jìn)出料靈活、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn)；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少，效率高，鍛件質(zhì)量好；3.工件加熱長度、速度、溫度等可精確控制；4.工件加熱均勻、芯表溫差小，控制精度高；5.感應(yīng)器可按客戶要求精心制作。6.***節(jié)能優(yōu)化設(shè)計(jì)，能耗低、效率高，比燒煤生產(chǎn)成本低；7.符合環(huán)保要求，污染小，同時(shí)還減少了工人的勞動(dòng)強(qiáng)度。縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值。無錫哪里可控硅電源雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極。但...

在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值U...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦援?dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea。蘇州新型可控硅電源在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)...

在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值U...

注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導(dǎo)通了。。。。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值。什么是可控硅電源常見問題可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可...

因此效率較高、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度。中文名可控硅電源類 型電源可控硅電源前級(jí)不可控全橋整流，不會(huì)在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢(shì)：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。貿(mào)易可控硅電源性能這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的...

可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1。虹口區(qū)品牌可控硅電源目...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦钥煽毓枰矔?huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。品牌可控硅電源可控硅(Silicon Contro...

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接。哪里可控硅電源常用知識(shí)反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于...

中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單、進(jìn)出料靈活、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn)；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少，效率高，鍛件質(zhì)量好；3.工件加熱長度、速度、溫度等可精確控制；4.工件加熱均勻、芯表溫差小，控制精度高；5.感應(yīng)器可按客戶要求精心制作。6.***節(jié)能優(yōu)化設(shè)計(jì)，能耗低、效率高，比燒煤生產(chǎn)成本低；7.符合環(huán)保要求，污染小，同時(shí)還減少了工人的勞動(dòng)強(qiáng)度。縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。徐匯區(qū)貿(mào)易可控硅電源可控硅電源采用的串聯(lián)諧振，即...

而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea。六合區(qū)新時(shí)代可控硅電源以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾...

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很...

為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。嘉定區(qū)智能化可控硅電源但是，它除了其中一個(gè)電極...

這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大...

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。普通可控硅的三個(gè)電極可以...

中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單、進(jìn)出料靈活、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn)；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少，效率高，鍛件質(zhì)量好；3.工件加熱長度、速度、溫度等可精確控制；4.工件加熱均勻、芯表溫差小，控制精度高；5.感應(yīng)器可按客戶要求精心制作。6.***節(jié)能優(yōu)化設(shè)計(jì)，能耗低、效率高，比燒煤生產(chǎn)成本低；7.符合環(huán)保要求，污染小，同時(shí)還減少了工人的勞動(dòng)強(qiáng)度。縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。新時(shí)代可控硅電源產(chǎn)業(yè)在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小...