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SmartView?NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560?，GEMINI?200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，...

EVG?850DB自動解鍵合機系統全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術數據在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。特征在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統實時監控和記錄所有相關過程參數自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據特定工藝優化了產量技術數據晶圓直徑（基板尺寸）高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化時就會影響鍵合質量。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發的鍵合機。中國澳門鍵合機聯系電話BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔...

BONDSCALE?自動化生產熔融系統啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術，與現有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG所有鍵合機系統都可以通過遠程通信。福建鍵合機推薦型號半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10...

用晶圓級封裝制造的組件被guangfan用于手機等消費電子產品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設備的需求，這些電子設備可以以越來越復雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監測系統，可植入醫療設備，軍SHI數據傳輸系統等。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智...

EVG320技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區域：三角形，確保每次旋轉時...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

GEMINI?FB特征：新的SmartView?NT3面-面結合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度多達六個預處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準驗證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現ZUI高吞吐量可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米蕞高處理模塊數：6+的SmartView?NT可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用...

EVG?820層壓系統 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應力和無空隙地層壓到載體晶片上在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 ...

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 ...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化時就會影響鍵合質量。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級3D集成，晶圓減薄等應用很實用的技術。福建SUSS鍵合機什么是YONG久鍵合系統呢？EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準...

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合...

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。EV...

EVG?320自動化單晶圓清洗系統用途：自動單晶片清洗系統，可有效去除顆粒EVG320自動化單晶圓清洗系統可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學藥品清洗。特征多達四個清潔站全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔先進的遠程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。廣西鍵合機用途是什么根據型號和...

熔融和混合鍵合系統：熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或層轉移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統；EVG320自動化單晶圓清洗系統；EVG810LT低溫等離子基活系統；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。EMINI FB XT...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。本地鍵合機有誰在用真空系統：9x...

二、EVG501晶圓鍵合機特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設計，便于轉換和維護兼容試生產需求：同類產品中的蕞低擁有成本開放式腔室設計，便于轉換和維護蕞小占地面積的200mm鍵合系統：0.8㎡程序與EVGHVM鍵合系統完全兼容以上產品由岱美儀器供應并提供技術支持。 晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合機器。官方授權經銷鍵合機三維芯片應用 EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用...

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支持大量不同的對準技術。EVG850 DB鍵合機美元報價EVG?...

完美的多用戶概念（無限數量的用戶帳戶，各種訪問權限，不同的用戶界面語言） 桌面系統設計，占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG?610BA鍵合機技術數據 常規系統配置桌面系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：2個卡帶站 可選：蕞多5個站晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合設備。低溫鍵...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。 EVG下的GEMINI系列是...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法，不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備，可以關注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。湖南鍵合機技術服務EVG鍵合機加工結果除支持晶圓級和先進封裝...

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法，不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備，可以關注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。福建鍵合機免稅價格長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業內...

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。 EVG鍵合機選擇上海岱美儀器。GEMINI鍵合機國內代理鍵合對準機系統 1985年，隨著世界上di一個雙面對準系統的發明，EVG革新了MEMS...

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。河南鍵合機美元...

鍵合機特征高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高...

根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅...