反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea。青浦區可控硅電源

而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。青浦區可控硅電源BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。

(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。

以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1。

也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？楊浦區哪里可控硅電源

下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。青浦區可控硅電源

并且用大電容濾波，因此諧波數小對電網的干擾小。可控硅電源較高頻的優勢：隨著我國工業化進程的飛速發展,感應加熱領域也再快速發展.由于環保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環保要求,而且在價格和經濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節能降耗,縮減成本已經成為中小企業非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節能型中頻。中頻感應加熱電源特點：1.生產操作簡單、進出料靈活、自動化程度高，可實現在線式生產；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少，效率高，鍛件質量好；青浦區可控硅電源

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