化學鎳金在條件允許的情況下(有足夠的排缸)，微蝕后二級逆流水洗之后，再加入5%左右的硫酸浸洗，經二級逆流水洗之后進入預浸缸。預浸缸：預浸缸在制程中沒有特別的作用，只是維持活化缸的酸度以及使銅面在新鮮狀態(無氧化物)下，進入活化缸。理想的預浸缸除了Pd之外，其它濃度與活化缸一致。實際上，一般硫酸鈀活化系列采用硫酸作預浸劑，鹽酸鈀活化系列采用鹽酸作預浸劑，也有使用銨鹽作預浸劑(PH值另外調節)。否則，活化制程失去保護會造成鈀離子活化液局部水解沉淀。PCB電子化學品的不斷革新伴隨著整個PCB制板技術發展史。電路板填孔藥水供應企業

影響鈀缸穩定性的主要原因除了PCB藥水系列不同之外，鈀缸控制溫度和鈀離子濃度則是首要考慮的問題。溫度越低，鈀離子濃度越低，越有利于鈀缸的控制。但不能太低，否則會影響活化效果，引起漏鍍發生。通常情況下，鈀缸溫度設定在20~30℃，其控制范圍應在±1℃，而鈀離子濃度則控制在20~40ppm，至于活化效果，則按需要選取適當的時間。當槽壁及槽底出現灰黑色的沉積物，則需硝槽處理。其過程為﹕加入1﹕1硝酸，啟動循環泵2小時以上或直到槽壁灰黑色沉積物完全除去為止。精細線路剝膜液生產商剝鎳鈍化劑BN-8009配合專門藥水，金回收簡單等優勢。

在PCB藥液中，除了一小部分氫是由NiSO4和H2PO3反應產生以外，大部分氫是由于兩極通電時發生電極反應引起的水解而產生，在陽極反應中，伴隨著大量氫的產生，陰極上的氫與金屬Ni—P合金同時析出，形成（Ni—P）H，附著在沉積層中，由于陰極表面形成超數量的原子氫，一部分脫附生成H2，而來不及脫附的就留在鍍層內，留在鍍層內的一部分氫擴散到基體金屬中，而另一部分氫在基體金屬和鍍層的缺陷處聚集形成氫氣團，該氣團有很高的壓力，在壓力作用下，缺陷處導致了裂紋，在應力作用下，形成斷裂源，從而導致氫脆斷裂。氫不只滲透到基體金屬中，而且也滲透到鍍層中，據報道，電鍍鎳要在400℃×18h或230℃×48h的熱處理之后才能基本上除去鍍層中的氫，所以電鍍鎳除氫是很困難的，而化學鍍鎳不需要除氫。

蝕刻液蝕刻速率降低：要檢查蝕刻條件，例如：溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等，使之達到適宜的范圍。抗蝕層被浸蝕：由于蝕刻液PH值過低或Cl含量過高所造成的。銅的表面發黑，蝕刻不動：蝕刻液中NH4Cl的含量過低所造成的。印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，蝕刻解析：目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。化學鍍工藝技術已經滲透工農業生產和高科技的各個領域，應用十分普遍。

化學鍍鎳PCB藥液溶液中的主鹽就是鎳鹽，一般采用氯化鎳或硫酸鎳，有時也采用氨基磺酸鎳、醋酸鎳等無機鹽。早期酸性鍍鎳液中多采用氯化鎳，但氯化鎳會增加鍍層的應力，現大多采用硫酸鎳。目前已有介紹采用次亞磷酸鎳作為鎳和次亞磷酸根的來源，一個優點是避免了硫酸根離子的存在，同時在補加鎳鹽時，能使堿金屬離子的累積量達到較小值。但存在的問題是次亞磷酸鎳的溶解度有限，飽和時只為35g/L。次亞磷酸鎳的制備也是一個問題，價格較高。如果次亞磷酸鎳的制備方法成熟以及溶解度問題能夠解決的話，這種鎳鹽將會有很好的前景。錫保護劑STM-668具有省錫，省電，省時，省錫光劑等原材料成本的特點。顯影液多少錢

剝膜過程銅面不易氧化，對于外層板剝膜可減少銅面氧化造成蝕銅不凈。電路板填孔藥水供應企業

隨著生產的進行，亞磷酸鹽濃度會越來越高，于是反應速度受生成物濃度的長高而壓制，所以鎳缸壽命末期與初期的沉積速度相差1/3則為正常現象。但此先天不足可采用調整反應物濃度方式予以彌補，開缸初期Ni濃度控制在4.60g/L，隨著MTO的增加Ni濃度控制值隨之提高，直至5.0g/L停止。以維持析出速度及磷含量的穩定，以確保鍍層品質。影響鎳缸活性重要的因素是穩定劑的含量，常用的穩定劑是Pb(CH3COO)2或硫脲，也有兩種同時使用的。穩定劑的作用是控制化學鎳金的選擇性，適量的穩定劑可以使活化后的銅面發生良好的鎳沉積，而基材或綠油部分則不產生化學沉積。電路板填孔藥水供應企業

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