蝕刻法是用蝕刻液將導電線路以外的銅箔去除掉的方法，雕刻法是用雕刻機將導電線路以外的銅箔去除掉的方法，前者是化學方法，較常見，后者是物理方法。電路板蝕刻法，是化學腐蝕法，是用濃硫酸腐蝕不需要的覆銅做成的電路板。雕刻法使用物理的方法，用專門的雕刻機，刀頭雕刻覆銅板形成電路走線的方法。了解有關PCB蝕刻過程中應該注意的問題。減少側蝕和突沿，提高蝕刻系數，側蝕產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，側蝕越嚴重。使用建議：槽液式：將待蝕刻物品面朝上于載具上，緩慢的沉入藥液里面，若有循環功能的話，建議開啟。有機剝膜液銷售價

剝膜加速劑除了可有效的加速剝離外，并將膜切割成較小碎片，減少夾膜殘銅發生，另外也可以保護錫鉛鍍層，減少NAOH攻擊側蝕，剝膜過程銅面不易氧化，對于外層板剝膜可減少銅面氧化造成蝕銅不凈，尤其更適合高精密度板、細線路、窄間距之高級板。蝕刻液的使用方法：即氟化氫的水溶液，為無色液體，能在空氣中發煙，有強烈腐蝕性和毒性，能侵蝕玻璃，需貯存于鉛制、蠟制或塑料容器中，可作為蝕刻玻璃的主要原料，一般選用工業品。原料：氟化銨：分子式為NH4F，白色晶體，易潮解，易溶于水和甲醇，較難溶于乙醇，能升華，在蝕刻液中起腐蝕作用，一般選用工業產品。PCB顯影藥水報價制作毛玻璃時，將玻璃洗凈、晾干，用刷子把蝕刻液均勻涂上腐蝕液即可。

化學鎳金沉金缸，置換反應形式的浸金薄層，通常30分鐘可達到極限厚度。由于鍍液Au的含量很低，一般為1~2g/L，溶液的擴散速度影響到大面積Pad位與小面積Pad位沉積厚度的差異。一般來說，單獨位小Pad位要比大面積Pad位的金厚度高100%也屬正常現象。對于PCB的沉金，其金面厚度也會因內層分布而相互影響，其個別Pad位也會出較大的差異。通常情況下，沉金缸的浸鍍時間設定在7~11分鐘，操作溫度一般在80~90℃，可以根據客戶的金厚要求，通過調節溫度來控制金厚。

在PCB藥液中，除了一小部分氫是由NiSO4和H2PO3反應產生以外，大部分氫是由于兩極通電時發生電極反應引起的水解而產生，在陽極反應中，伴隨著大量氫的產生，陰極上的氫與金屬Ni—P合金同時析出，形成（Ni—P）H，附著在沉積層中，由于陰極表面形成超數量的原子氫，一部分脫附生成H2，而來不及脫附的就留在鍍層內，留在鍍層內的一部分氫擴散到基體金屬中，而另一部分氫在基體金屬和鍍層的缺陷處聚集形成氫氣團，該氣團有很高的壓力，在壓力作用下，缺陷處導致了裂紋，在應力作用下，形成斷裂源，從而導致氫脆斷裂。氫不只滲透到基體金屬中，而且也滲透到鍍層中，據報道，電鍍鎳要在400℃×18h或230℃×48h的熱處理之后才能基本上除去鍍層中的氫，所以電鍍鎳除氫是很困難的，而化學鍍鎳不需要除氫。蝕刻液能侵蝕玻璃，需貯存于鉛制、蠟制或塑料容器中。

活化缸，活化的作用是在銅面析出一層鈀，作為化學鎳金起始反應之催化晶核。其形成過程則為Pd與Cu的化學置換反應。從置換反應來看，Pd與Cu的反應速度會越來越慢，當Pd與Cu完全覆蓋后(不考慮浸鍍的疏孔性)，置換反應即會停止，但實際生產中，人們不可能也不必要將銅面徹底活化(將銅面完全覆蓋)。從成本上講，這會使Pd的消耗大幅大升。更重要的是，這容易造成滲鍍等嚴重品質問題。由于Pd的本身特性，活化缸存在著不穩定這一因素，槽液中會產生細微的(5m濾芯根本不可能將其過濾)鈀顆粒，這些顆粒不但會沉積在PCB的Pad位上，而且會沉積在基材﹑綠油以及缸壁上。當其積累到一定程度，就有可能造成PCB滲鍍以及缸壁發黑等現象。避免過多污染物帶入槽液，影響微蝕速率及槽液壽命，同時不能接觸無機酸性或還原試劑。金面封孔劑銷售

不正常因素導致基材吸附大量活化殘液，并不是硫酸或鹽酸能將其洗去，只能從根源去調整鈀缸或鎳缸。有機剝膜液銷售價

隨著生產的進行，亞磷酸鹽濃度會越來越高，于是反應速度受生成物濃度的長高而壓制，所以鎳缸壽命末期與初期的沉積速度相差1/3則為正常現象。但此先天不足可采用調整反應物濃度方式予以彌補，開缸初期Ni濃度控制在4.60g/L，隨著MTO的增加Ni濃度控制值隨之提高，直至5.0g/L停止。以維持析出速度及磷含量的穩定，以確保鍍層品質。影響鎳缸活性重要的因素是穩定劑的含量，常用的穩定劑是Pb(CH3COO)2或硫脲，也有兩種同時使用的。穩定劑的作用是控制化學鎳金的選擇性，適量的穩定劑可以使活化后的銅面發生良好的鎳沉積，而基材或綠油部分則不產生化學沉積。有機剝膜液銷售價

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