第三代試管嬰兒的技術也稱胚胎植入前遺傳學診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質進行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質取4～8個細胞期胚胎的1個細胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發育。檢測用單細胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術可以進行性別選擇，但只有當子代性染色體有可能發生異常并帶來嚴重后果時，才允許進行性別選擇。本質上，第三代試管嬰兒技術選擇的是疾病，而不是性別。軟件提供圖像和影像縮略圖，方便回放。歐洲連續多脈沖激光破膜熱效應環

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規產品，向高可靠低價化方向發展。DFB-LD的激射波長主要由器件內部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區。這種波紋狀結構使光波導區的折射率呈周期性分布，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構是光柵。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調制下可動態單縱模輸出。內置調制器的DFB-LD滿足光發射機小型、低功耗的要求。廣州DTS激光破膜PGD采用非接觸式的激光切割方式，免除了傳統機械操作可能帶來的損傷，對細胞傷害小。

二、激光打孔技術在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應用場景。利用激光打孔技術，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞，滿足各種不同的應用需求。例如，在太陽能電池板的生產中，利用激光打孔技術可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過激光打孔技術可以制備出具有微孔結構的濾膜，實現對氣體的過濾和分離。2.納米級加工隨著科技的發展，納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術作為一種先進的加工手段，在納米級加工中具有廣泛的應用前景。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞，實現納米級結構的制備。這種加工方式可以顯著提高薄膜材料的性能，例如提高其力學性能、光學性能和電學性能等。3.特殊形狀孔洞的加工除了常規的圓形孔洞外，利用激光打孔技術還可以加工出各種特殊形狀的孔洞。例如，在柔性電子器件的制造中，需要將電路圖案轉移到柔性基底上。利用激光打孔技術可以在柔性基底上加工出具有特殊形狀的孔洞，從而實現電路圖案的轉移。這種加工方式可以顯著提高柔性電子器件的性能和穩定性。

PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產史的孕婦（自然流產≥3次）反復胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數目及結構異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS，常規產前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對染色體結構和數目的異常，無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限，只是取一定數量的卵裂球或者囊胚期細胞，雖然不會影響胚胎的正常發育，但取材細胞和留下繼續發育的細胞團遺傳構成并非完全相同，故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現篩查結果不符。另外染色體疾病的發病原因至今不明，也沒有預防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，但是胚胎移植后，生命發育任何一個階段胎兒由于母體原因、環境等因素，染色體都有可能出現異常變化。所以選擇PGS成功受孕后，孕婦仍然需要進行常規的產前檢查。PGS不可替代產前篩查。若常規產前檢查發現胎兒異常，或孕婦本人具有進行產前篩查的指征，強烈建議孕婦選擇羊水穿刺等產前篩查方式進行確認。激光能量可以在短時間內精確作用于細胞膜，形成的小孔通常能夠在短時間內自行修復。

激光的產生圖1在講激光產生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態的粒子自發向低能態躍遷，稱之為自發輻射；二是處于高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態的粒子吸收外來光的能量向高能態躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發輻射，即使是兩個同時從某一高能態向低能態躍遷的粒子，它們發出光的相位、偏振狀態、發射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態的粒子在外來光子的激發下向低能態躍遷，發出在頻率、相位、偏振狀態等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發生的輻射就是受激輻射，它發出的激光在頻率、相位、偏振狀態等方面完全一樣。任何的受激發光系統，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優勢，才能把外來光放大而發出激光。而一般光源中都是受激吸收占優勢，只有粒子的平衡態被打破，使高能態的粒子數大于低能態的粒子數（這樣情況稱為粒子數反轉），才能發出激光。能夠實現精確的激光位移，對微小的胚胎或細胞進行精確操作，誤差小。美國二極管激光激光破膜胚胎干細胞

實時同步成像，可以獲取圖像和影像，通過拍攝的圖像可以進行胚胎量測、分析和評價。歐洲連續多脈沖激光破膜熱效應環

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統設備，對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發展中。研制成功的電吸收調制器集成光源，采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關，把LD輸出變換成二進制的0和1。歐洲連續多脈沖激光破膜熱效應環