可以利用多重的內框結構，例如回字型的內框結構來加強結構強度。所謂的回字型，就是內框內還有內框的結構。在一實施例當中，多重的內框結構可以是同心的，以便簡化設計。在另一實施例當中，多重的內框結構的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內框結構與小內框結構的形狀可以是相應的。舉例來說，大內框結構與小內框結構的形狀可以是相同的，但大小不同。框的寬度可以與內框結構的大小成比例。在一實施例當中，可以具有兩個以上的多重內框結構。請參考圖11b所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內框結構，就是內框內還有內框的多重內框結構。本申請所欲保護的技術特征在于，晶圓層的邊框結構的內部至少具有一個或多重內框結構，用于加強該一個或多重內框結構內部的結構，本申請并不限定內框結構的個數。請參考圖12所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面1200的一示意圖。該結構的剖面1200可以是圖10a所示結構1000的dd線剖面。本領域普通技術人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。國內半導體晶圓廠家哪家好？廣州半導體晶圓服務電話

    結構500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結構400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結構500的金屬層510的大部分比該結構400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節省金屬本身的成本，也可以節省制作該金屬層510的步驟的成本。請參考圖5b所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構500的剖面示意圖。圖5b所示的實施例是圖5a所示實施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比，圖5b所示實施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實施例的其余特征均與圖5a所示實施例相同。請參考圖6所示，為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面600的一示意圖。該結構的剖面600可以是圖3所示結構300的aa線剖面，也可以是圖4所示結構400的aa線剖面，還可以是圖5b所示結構500的bb線剖面。為了方便說明起見，圖6所示的實施例是圖3所示的結構300，因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號。但本領域普通技術人員可以理解到，剖面600可以適用于結構400或500。廣州半導體晶圓推薦貨源半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。

    通過通信電纜25088發送比較結果到主機25080。如果聲波發生器25082的輸出值與主機25080發送的參數設定值不同，則檢測電路25086將發送報警信號到主機25080。主機25080接收到報警信號后關閉聲波發生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結構的損傷。圖26揭示了根據本發明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現。通信電路26096作為主機25080的接口。通信電路26096與主機25080實現rs232/rs485串行通信來從主機25080讀取參數設置，并將比較結果返回主機25080。電源電路26098將直流15v轉換成直流、直流。圖27揭示了根據本發明的另一個實施例的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、振幅檢測電路27092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。圖28a至圖28c揭示了根據本發明的一個實施例的電壓衰減電路的示例。當聲波發生器25082輸出的聲波信號***被讀取時，該聲波信號具有相對較高的振幅值，如圖28b所示。電壓衰減電路26090被設計成使用兩個運算放大器28102和28104來減小波形的振幅值。

    該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。進一步的，為了配合大多數矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是矩形。進一步的，為了配合大多數方形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是方形。進一步的，為了讓基板區域的電阻值降低，其中該晶圓層包含與該第二表面相對應的一***表面，在進行該蝕刻步驟之后，在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該中心凹陷區域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。進一步的，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該***內框結構區域。半導體晶圓價格信息。

    本實用新型具有以下有益效果：本實用新型在繼承了平放型花籃的優點的同時，可實現多層同時清洗，有效提高了清洗效率，更重要的是可滿足多種不同尺寸（例如4寸、5寸、6寸等）、不同形狀（例如圓形、半圓形、扇形等）的晶圓同時清洗，進一步降低了生產成本，且靈活性更好。附圖說明圖1為本實用新型一個具體實施例的結構示意圖；圖2為具體實施例中平放花籃的結構示意圖；圖3為具體實施例中平放花籃安裝十字形豎直擋板后的結構示意圖；圖4為十字形擋板的結構示意圖。圖中附圖標記含義如下：1、提把，11、連接端口，2、平放花籃，21、圓形底盤，22、鏤空側壁，23、連接端子，24、豎直擋板。具體實施方式針對現有技術不足，本實用新型提出了一種半導體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側壁組成，圓形底盤上設置有一組通孔，在所述鏤空側壁的外緣設置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應于該連接端口的位置。為了便于清洗過程中清洗液均勻地進入花籃，推薦地，圓形底盤上的所述通孔均勻分布。國內哪家做半導體晶圓比較好？鄭州半導體晶圓誠信經營

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    上述步驟7210至7240可以重復操作以此來縮小內爆時間τi的范圍。在知道內爆時間τi后，τ1可以在安全系數下設置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設圖案結構為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結了其他試驗參數以及**終的圖案損傷數據：表2在一個試驗中，當τ1＝2ms(或周期數為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結構造成的損傷高達1216個點。當τ1＝(或周期數為100)時，聲波清洗工藝對相同的圖案結構造成的損傷為0。所以τi為。通過縮小τ1的范圍來做更多的試驗可進一步縮小τi的范圍。在上述實驗中，周期數取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率。功率密度越大，則周期數越小；頻率越低，則周期數越小。從以上實驗結果可以預測出無損傷的周期數應該小于2000，假設超聲波或兆聲波的功率密度大于，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于，那么可以預測周期數將會增加。知道時間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來獲得。確定時間τ1。廣州半導體晶圓服務電話

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