容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯粒可以組成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問(wèn)題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？信息化DDR3測(cè)試維修電話

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個(gè)選項(xiàng)卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對(duì)應(yīng)關(guān)系；Bus Definition用來(lái)定義總線Bus和相關(guān)的時(shí)鐘參考信號(hào)。對(duì)于包 含多個(gè)Component的IBIS模型，可以通過(guò)右上角Component T拉列表進(jìn)行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項(xiàng)，將每條I/O 口和其對(duì)應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對(duì)應(yīng)起來(lái)，以更好地仿真SSN效應(yīng)，這 個(gè)選項(xiàng)通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。浙江DDR3測(cè)試維修如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測(cè)試？

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過(guò) Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過(guò)實(shí)例來(lái)介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開(kāi) DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動(dòng)在PowerSI軟件界面中打開(kāi)。

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語(yǔ)講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題，在這里我們先不討論它，暫時(shí)認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 DDR3一致性測(cè)試是否會(huì)提前壽命內(nèi)存模塊？

多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機(jī)、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲(chǔ)設(shè)備。由于相 對(duì)較低的每比特的成本提供了速度和存儲(chǔ)很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計(jì)算機(jī)產(chǎn)品 的主流存儲(chǔ)器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會(huì)）發(fā)布。隨著時(shí)鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來(lái)的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo)，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來(lái)越大。存 儲(chǔ)器子系統(tǒng)的信號(hào)完整性早已成為電子工程師重點(diǎn)考慮的棘手問(wèn)題。 什么是DDR3內(nèi)存的一致性問(wèn)題？浙江DDR3測(cè)試維修

如何執(zhí)行DDR3的一致性測(cè)試？信息化DDR3測(cè)試維修電話

DDR 規(guī)范的時(shí)序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對(duì)于信號(hào)的時(shí)序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中，有很多時(shí)序圖，筆者大致計(jì)算了一下，有 40 個(gè)左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師，我們不可能也沒(méi)有時(shí)間去做全部的仿真波形來(lái)和規(guī)范的要求一一對(duì)比驗(yàn)證，那么哪些時(shí)序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)？事實(shí)上，在所有的這些時(shí)序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關(guān)注的只有兩個(gè)，那就是規(guī)范文件的第 69 頁(yè)，關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個(gè)基本的時(shí)序圖（注意，這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來(lái)講的）。為方便讀者閱讀，筆者把這兩個(gè)時(shí)序圖拼在了一起，而其他的時(shí)序圖的實(shí)現(xiàn)都是以這兩個(gè)圖為基礎(chǔ)的。在板級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，只要滿足了這兩個(gè)時(shí)序圖的質(zhì)量，其他的時(shí)序關(guān)系要求都是對(duì)這兩個(gè)時(shí)序圖邏輯功能的擴(kuò)展，應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計(jì)人員所需要考慮的事情。 信息化DDR3測(cè)試維修電話