P3電位器調整。調整范圍*電壓限制:板內P1電位器或外接10KΩ電位器調整。調整范圍0~****電流限制(選件):內置電流變換器,外接10KΩ電位器調整。調整范圍20%~****過流報警(選件):內置電流變換器,板內P2電位器調整。調整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關,常閉接點動作時間:<10ms*起動/停止開關:外接開關*調功/調壓切換(選件):外接開關*工作環境:溫度范圍:-30~+50℃濕度范圍:90%RH比較大無結露海拔高度2000m以下存儲溫度:-30~+60℃其它要求:通風良好,不受日光直射或熱輻射,無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式,垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼,500VDC;**小控制板電源端與外殼,500VDC;控制輸入端與外殼,500VDC;控制板輸入端與電源端,500VDC*介電強度:模塊輸出端與外殼之間,2000VAC1分鐘;控制電源端與外殼之間,2000VAC1分鐘單相電力調整器是移相型閉環電力控制器,其**部件采用國外生產的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發**集成電路。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性,且不隨環境溫度變化,使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。現場調試一般不需要示波器即可完成。整流器/充電機應有蓄電池充電電流限流電路,將蓄電池充電電流限制到UPS額定輸出容量(KW)的15%。蘇州正高牌可控硅
用短線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻,結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時,該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后,再仔細測量A1、G極間正、反向電阻,讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,紅表筆接***陽極A1,此時萬用表指針不應發生偏轉,阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發電壓,A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線,萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉,阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負的觸發電壓,A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數應不變,保持在10歐姆左右。符合以上規律。蘇州正高牌可控硅大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。
門極關斷晶閘管的檢測1)判別各電極:門極關斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同,即用萬用表的R×100檔,找出具有二極管特性的兩個電極,其中一次為低阻值(幾百歐姆),另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中,紅表筆接的是陰極K,黑表筆接的是門極G,剩下的一只引腳即為陽極A。觸發能力和關斷能力的檢測:可關斷晶閘管觸發能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關斷晶閘管的關斷能力時,可先按檢測觸發能力的方法使晶閘管處于導通狀態,即用萬用表R×1檔,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路,給G極加上正向觸發信號時,晶閘管被觸發導通,其A、K極間電阻值由無窮大變為低阻狀態。斷開A極與G極的短路點后,晶閘管維持低阻導通狀態,說明其觸發能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發信號,若此時A極與K極間電阻值由低阻值變為無窮大,則說明晶閘管的關斷能力正常,圖7是關斷能力的檢測示意圖。也可以電路來檢測門極關斷晶閘管的觸發能力和關斷能力。電路中,EL為6.3V指示燈(小電珠),S為轉換開關,VT為被測晶閘管。當開關S關斷時,晶閘管不導通,指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時。
選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩壓管作為基準源,并選擇其穩定電壓為6.4V。由特性較好的三端集成穩壓器供電,限流電阻采用精密金屬膜電阻R(溫度系數約為±1×10-5/℃)。為了減小噪聲的影響,將穩壓管封裝在盛油的小容器里,噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調整管的集-射極電壓經電阻分壓,并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端;在集電極電壓的取樣電路中串入一穩壓管,由該管決定調整管壓降大小。此處選3.3V。并將集電極電壓減去穩壓管穩壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度,應使集-射極采樣電阻完全對稱,并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1=R3,R2=R4;設分壓系數n=R2/(R1+R2);集成運算放大器輸出為Uo;放大系數為K;調整管集電極電壓為UC;調整管發射極電壓為UE;A點電壓為UA;B點電壓為UB;有:當調整管壓降增大,UcE上升,使Uo增大,即觸發器的控制電壓Ub增大,而集成觸發器KJ785是負極型的:控制電壓增大,導通角減小。因此,觸發脈沖后移,整流輸出減小。可控硅整流擔任***步的穩壓工作。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性,且不隨環境溫度變化,使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。
控制交流負載回路的通斷,通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件,可以實現弱電控制強電的目的。但是在帶電流分斷負載回路時,會產生電弧腐蝕觸點,降低了繼電器的使用壽命,并且繼電器觸點的響應時間在ms級別,不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷,那么可以考慮使用可控硅來實現。1什么是可控硅可控硅是具有四層結構的PNPN型半導體器件,可以看作是由兩個三極管所構成的元器件,可控硅的半導體結構如下圖所示。可控硅從導通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G;雙向可控硅的三個電極分別為T1,T2以及控制G。可控硅的在導通后,及時將控制信號去掉,可控硅仍然處于導通狀態。在交流負載回路中,一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設計單片機控制可控硅回路的通斷時,比較好使用光耦做隔離。所設計的可控硅控制電路如下圖所示。單片機的輸出端接三極管的基極,通過三極管來控制光耦的通斷,圖中以燈泡作為負載。當單片機輸出高電平時,光耦導通,此時可控硅的控制極有觸發信號,并且T1和T2上的交流電源滿足導通條件。單片機輸出低電平時,光耦截止。可控硅調壓器是一種以可控硅(電力電子功率器件)為基礎,以**控制電路為**的電源功率控制電器。蘇州正高牌可控硅
業界推出的節能燈和電子鎮流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。蘇州正高牌可控硅
只要用萬用表測出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔,兩表筆任接被測晶閘管的某兩個引腳(測其正、反向電阻值),若測出某對引腳為低阻值時,則黑表筆接的陽極A,而紅表筆接的是門極G,另外一個引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞:用萬用表R×1kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時,陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大;陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為幾百歐姆至幾千歐姆,反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小,則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發能力檢測:將萬用表置于R×1Ω檔,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,測得阻值應為無窮大。然后用手指觸摸門極G,給其加一個人體感應信號,若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變為低阻值(數歐姆),則說明晶閘管的觸發能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。蘇州正高牌可控硅
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