**名稱：非絕緣雙塔型二極管模塊的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種用于逆變焊機電源及各種開關電源的二極管，尤其是涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊。背景技術：非絕緣雙塔結構二極管是一種標準外形尺寸的模塊產品，由于產品外形簡單、成本低，適用范圍廣。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊，見圖i所示，由二極管芯片3'、底板r、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9，構成，二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2'、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接，主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環氧樹脂灌注，在高溫下固化將三者固定在一起。由于主電極為塊狀結構，故底板、二極管芯片、主電極之間均為硬連接。在長期工作運行過程中，由于二極管芯片要承受機械振動、機械應力以及熱應力等因素的影響，使得二極管內部的半導體二極管芯片也產生機械應力。因與二極管芯片連接的材料不同其熱膨脹系數也不同，又會使二極管芯片產生熱應力，一旦主電極發生松動，就會造成二極管芯片的碎裂。常規非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上，然后將另一電極用螺釘安裝在主電極銅塊上，主電極所承受的外力一部分力直接作用到二極管芯片上。IGBT是一個超級電子開關，它能耐受超高電壓。福建質量模塊批發價

    對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態有密切關系。通常情況下，靜態和動態閂鎖有如下主要區別：當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現，只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。IGBT模塊五種不同的內部結構和電路圖1.單管模塊，1in1模塊單管模塊的內部由若干個IGBT并聯，以達到所需要的電流規格，可以視為大電流規格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太**電流規格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示，副發射極（第二發射極）連接到柵極驅動電路，主發射極連接到主電路中。福建質量模塊批發價IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。

    所述工裝槽321設置在向上翹起的所述端部上。這樣，所述壓緊部上設置有所述工裝槽的部分就不會貼合在igbt單管上，方便從所述工裝槽內退出工裝。如圖1所示，可選的，所述igbt單管2的數量為一個以上，各所述igbt單管2成排設置在所述安裝板1上。本實施例中，應當理解的是，各所述igbt單管之間相互并聯，且各所述igbt單管之間的并聯方法屬于現有技術，例如：各所述igbt單管通過母線銅排相并聯，本實施例對各所述igbt單管之間的電連接關系不再贅述。各所述igbt單管成排布置，一方面方便對各所述igbt單管進行辨認和電連接，另一方面還便于各所述壓緊件的布置。如圖1和圖2所示，可選的，所述壓緊件3的數量與所述igbt單管2的排數相等，每個所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實施例，一個所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2所示，可選的，所述壓緊件3的連接板31呈長條狀，所述壓緊件3包括一個以上的所述壓緊部32，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長度方向依次連接在所述連接板31的上端。本實施例，每個所述壓緊部下方可以安裝一個igbt單管，這樣，相比于將所述壓緊部做成長條狀。

    只需抬起所述壓緊部遠離所述連接部的一端，然后將igbt單管放置在所述壓緊部下側的安裝板上，***松開所述壓緊部即可將所述igbt單管壓緊在所述安裝板上。本實施例提供的所述壓緊件的結構簡單可靠，使用方便。如圖3所示，可選的，所述連接部31包括連接板311、以及設置在所述連接板311一側的凸起312；如圖4所示，所述安裝板1的上側設置有擋板11和卡槽12，所述擋板11豎向設置且所述擋板11上開設有連接孔111或凹槽，所述卡槽12位于所述擋板11靠近所述igbt單管2的一側；所述連接板311的下端插接在所述卡槽12內，所述連接板311側部的凸起312位于在所述連接孔111或凹槽內。本實施例，在將所述壓緊件安裝到所述安裝板上時，可以首先將所述連接板卡在所述卡槽內，然后將所述連接板側部的凸起**所述擋板的連接孔或凹槽中。這樣，在所述壓緊件工作時，所述卡槽以及所述連接孔或凹槽能夠對所述壓緊件的兩個方向起到限位作用，從而使所述壓緊件更加可靠。可選的，所述連接板側部的凸起可以與所述連接孔或凹槽過盈連接，這樣，即使所述壓緊件不進行壓緊工作時，也可以與所述安裝板保持固定連接。如圖3所示，可選的，所述壓緊部32與所述連接板311的上端相連。漂移區域的上面是主體區域，它由 (p) 基板組成，靠近發射極，在主體區域內部，有 (n+) 層。

    測試溫度范圍Tj=25°及125°。IGBT模塊動態測試參數及指標測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。1）動態測試參數IGBT的開通和關斷波形及其相關參數的定義如圖2、圖3所示。1）圖2IGBT開通過程及其參數定義動態測試參數IGBT的開通和關斷波形及其相關參數的定義如圖2、圖3所示。圖2IGBT開通過程及其參數定義圖3IGBT關斷過程及其參數定義表格2可測量的IGBT動態參數參數名稱符號參數名稱符號開通延遲時間td(on)關斷延遲時間td(off)上升時間tr下降時間tf開通時間ton關斷時間toff開通損耗Eon關斷損耗Eoff柵極電荷Qg短路電流ISC//可測量的FRD動態參數參數名稱符號參數名稱符號反向恢復電流IRM反向恢復電荷Qrr反向恢復時間trr反向恢復損耗Erec*2）動態測試參數指標表格4IGBT動態測試參數指標主要參數測試范圍精度要求測試條件Vce集射極電壓150～1500V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～1500V±1%±5V；150～1500VIc集射極電流1～1200A1～200A±3%±1A；200～1200A±3%±2A。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。江蘇模塊值得推薦

單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右，IGBT模塊的比較大額定電流可以達到3600A。福建質量模塊批發價

    IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過螺釘夾緊，散熱絕緣混合劑就散開，使IGBT模塊與散熱器均一接觸。上圖：兩點安裝型模塊下圖：一點安裝型模塊圖1散熱絕緣混合劑的涂敷方法涂敷同等厚度的導熱膏（特別是涂敷厚度較厚的情況下）可使無銅底板的模塊比有銅底板散熱的模塊的發熱更嚴重，**終引至模塊的結溫超出模塊的安全工作的結溫上限（Tj《125℃或125℃）。因為散熱器表面不平整所引起的導熱膏的厚度增加，會增大接觸熱阻，從而減慢熱量的擴散速度。IGBT模塊安裝時，螺釘的夾緊方法如圖2所示。另外。福建質量模塊批發價

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