EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統,可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,這樣可以輕松擴大生產量。EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。低溫鍵合機中芯在用嗎
目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。
本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環境要求苛刻的問題。
在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層 發生氧化就會影響鍵合質量。 EVG560鍵合機優惠價格鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術。
GEMINI®FB特征:
新的SmartView®NT3面-面結合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度
多達六個預處理模塊,例如:
清潔模塊
LowTemp?等離子基活模塊
對準驗證模塊
解鍵合模塊
XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現蕞高吞吐量
可選功能:
解鍵合模塊
熱壓鍵合模塊
技術數據
晶圓直徑(基板尺寸)
200、300毫米
蕞高處理模塊數:6+的SmartView
®NT
可選功能:
解鍵合模塊
熱壓鍵合模塊
EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統,擴展了現有標準,并擁有更高的生產率,更高的對準和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。
EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術數據 全自動的臨時鍵合系統可在一個自動化工具中實現整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加,烘焙,將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣,設備布局是模塊化的,這意味著可以根據特定過程對吞吐量進行優化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監控和參數優化。 由于EVG的開放平臺,因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶。EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。
EVG®301技術數據
晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米
清潔系統
開室,旋轉器和清潔臂
腔室:由PP或PFA制成(可選)
清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)
旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)
超音速噴嘴
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:30-60W
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區域:?4.0mm
材質:聚四氟乙烯
兆聲區域傳感器
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區域:三角形,確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性
材質:不銹鋼和藍寶石
刷子
材質:PVA
可編程參數:刷子和晶圓速度(rpm)
可調參數(刷壓縮,介質分配)
烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。EVG6200鍵合機質量怎么樣
業內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。低溫鍵合機中芯在用嗎
一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優化芯片恢復率。
質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法,不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。
半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備,可以關注這里:EVG光刻機和鍵合機。 低溫鍵合機中芯在用嗎
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