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四川鍵合機測樣

來源: 發(fā)布時間:2020-07-10

EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。四川鍵合機測樣

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計,注重用戶友好性,并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持,單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復,可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此,我們的服務包括通過安全連接,電話或電子郵件,對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的,實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持,這得益于我們分布于全球的支持結(jié)構(gòu),包括三大洲的潔凈室空間:歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).中國香港HVM鍵合機EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機,設計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機,蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計,并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。

EVG?6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖 形化,應力匹配度高等優(yōu)點。

3) 由破壞性試驗結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進 一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。EVG805鍵合機聯(lián)系電話

針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個鍵合模塊。四川鍵合機測樣

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。四川鍵合機測樣

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