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湖南光刻機學校會用嗎

來源: 發布時間:2020-06-20

HERCULES 光刻軌道系統技術數據:

對準方式:

上側對準:≤±0.5 μm;

底側對準:≤±1,0 μm;

紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基材


先進的對準功能:

手動對準;

自動對準;

動態對準。


對準偏移校正:

自動交叉校正/手動交叉校正;

大間隙對準。


工業自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

曝光源:汞光源/紫外線LED光源

曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式


楔形補償:全自動軟件控制;非接觸式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光


系統控制

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除 整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。湖南光刻機學校會用嗎

EVG曝光光學:專門開發的分辨率增強型光學元件(REO)可提供高出50%的強度,并顯著提高/分辨率,在接近模式下可達到小于3μm的分辨率。REO的特殊設計有助于控制干涉效應以獲得分辨率。EVG**/新的曝光光學增強功能是LED燈設置。低能耗和長壽命是UV-LED光源的**/大優勢,因為不需要預熱或冷卻。在用戶軟件界面中可以輕松、實際地完成曝光光譜設置。此外,LED需要*在曝光期間供電,并且該技術消除了對汞燈經常需要的額外設施(廢氣,冷卻氣體)和更換燈的需要。這種理想的組合不僅可以**/大限度地降低運行和維護成本,還可以增加操作員的安全性和環境友好性。EV Group光刻機要多少錢IQ Aligner光刻機支持的晶圓尺寸高達200 mm / 300 mm。

EVG也提供量產型掩模對準系統。對于在微米范圍內的光刻圖形,掩模對準器是**/具成本效益的技術,與其他解決方案相比,每層可節省30%以上的成本,這對用戶來說是至關重要的。EVG的大批量制造系統旨在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合,并由卓/越的全球服務基礎設施提供支持。**重要的是,大焦深曝光光學系統完美匹配大批量生產中的厚抗蝕劑,表面形貌和非平面基片的圖形。在全球范圍內,我們為許多客戶提供了量產型的光刻機系統,得到了他們的無數好評。

集成化光刻系統


HERCULES光刻量產軌道系統通過完全集成的生產系統和結合了掩模對準和曝光以及集成的預處理和后處理功能的高度自動化,完善了EVG光刻產品系列。HERCULES光刻軌道系統基于模塊化平臺,將EVG已建立的光學掩模對準技術與集成的清潔,光刻膠涂層,烘烤和光刻膠顯影模塊相結合。這使HERCULES平臺變成了“一站式服務”,在這里將經過預處理的晶圓裝載到工具中,然后返回完全結構化的經過處理的晶圓。目前可以預定的型號為:HERCULES。請訪問官網獲取更多的信息。


只有接近客戶,才能得知客戶**真實的需求,這是我們一直時刻與客戶保持聯系的原因之一。

掩模對準系統:EVG的發明,例如1985年世界上較早的擁有底面對準功能的系統,開創了頂面和雙面光刻,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例,并設定了行業標準。EVG通過不斷開發掩模對準器產品來增強這些**光刻技術,從而在這些領域做出了貢獻。

EVG的掩模對準系統可容納尺寸**/大,尺寸和形狀以及厚度**/大為300 mm的晶片和基板,旨在為高級應用提供先進的自動化程度和研發靈活性的復雜解決方案。EVG的掩模對準器和工藝能力已經過現場驗證,并已安裝在全球的生產設施中,以支持眾多應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS制造。 研發設備與EVG的**技術平臺無縫集成,這些平臺涵蓋從研發到小規模和大批量生產的整個制造鏈。山東光刻機輪廓測量應用

HERCULES可以配置成處理彎曲,翹曲,變薄或非SEMI標準形狀的晶片和基片。湖南光刻機學校會用嗎

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝:在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑;負側壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結構的中間;用于LIGA結構的高縱橫比結構,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果;西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。 湖南光刻機學校會用嗎

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