EVG®810LT技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp?等離子活化室
工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）
通用質量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）
真空系統：9x10-2mbar
腔室的打開/關閉：自動化
腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）
可選功能：
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統：9x10-3mbar基本壓力
符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統
Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/
Si（熱氧化）
TEOS/TEOS（熱氧化）
絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半導體：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，環烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）
EVG鍵合機通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。圖像傳感器鍵合機優惠價格
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合
適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用
生產系統可在高通量，高產量環境中運行
盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）
無污染的背面處理
超音速和/或刷子清潔
機械平整或缺口對準的預鍵合
先進的遠程診斷
技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自動盒帶到盒帶操作
預鍵合室
對準類型：平面到平面或凹口到凹口
對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°
結合力：蕞高5N
鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活
真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 北京鍵合機有誰在用晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。
EVG?301單晶圓清洗系統，屬于研發型單晶圓清洗系統。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的研發型系統，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統可與EVG的晶圓對準和鍵合系統結合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設置不同的工藝。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。
用晶圓級封裝制造的組件被***用于手機等消費電子產品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設備的需求，這些電子設備可以以越來越復雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監測系統，可植入醫療設備，***數據傳輸系統等。
晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。海南鍵合機三維芯片應用
我們的服務包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現場驗證，進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。圖像傳感器鍵合機優惠價格
SmartView®NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。
全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。
用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在嶺先技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。
特征：
適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。
用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 圖像傳感器鍵合機優惠價格
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