SmartView®NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。
全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。
用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在嶺先技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。
特征：
適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。
用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。氮化鎵鍵合機代理價格
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合
適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用
生產系統可在高通量，高產量環境中運行
盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）
無污染的背面處理
超音速和/或刷子清潔
機械平整或缺口對準的預鍵合
先進的遠程診斷
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自動盒帶到盒帶操作
預鍵合室
對準類型：平面到平面或凹口到凹口
對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°
結合力：蕞高5N
鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活
真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 中國香港鍵合機芯片堆疊應用EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。
BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。
特征：
在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用
通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成
支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底
BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米
蕞高數量或過程模塊8通量
每小時蕞多40個晶圓
處理系統
4個裝載口
特征：
多達八個預處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊
XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現蕞高吞吐量
光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ
EVG®805解鍵合系統用途：薄晶圓解鍵合。
EVG805是半自動系統，用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上，以在工具之間安全可靠地運輸。
特征：
開放式膠粘劑平臺
解鍵合選項：
熱滑解鍵合
解鍵合
機械解鍵合
程序控制系統
實時監控和記錄所有相關過程參數
薄晶圓處理的獨特功能
多種卡盤設計，可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體
高形貌的晶圓處理
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
晶片蕞大300mm
高達12英寸的薄膜
組態
1個解鍵合模塊
選件
紫外線輔助解鍵合
高形貌的晶圓處理
不同基板尺寸的橋接能力 以上應用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。
EVG?820層壓系統 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 加熱層壓 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。吉林鍵合機美元價
EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。氮化鎵鍵合機代理價格
EVG®301特征
使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔
單面清潔刷（選件）
用于晶圓清洗的稀釋化學品
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過程
選件
帶有紅外檢查的預鍵合臺
非SEMI標準基材的工具
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米
清潔系統
開室，旋轉器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）
旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）
超音速噴嘴
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區域：?4.0mm
材質：聚四氟乙烯 氮化鎵鍵合機代理價格
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