光刻膠處理系統
EVG100系列光刻膠處理系統為光刻膠涂層和顯影建立了質量和靈活性方面的新標準。EVG100系列的設計旨在提供**廣/泛的工藝變革，其模塊化功能可提供旋涂和噴涂，顯影，烘烤和冷卻模塊，以滿足個性化生產需求。這些系統可處理各種材料，例如正性和負性光刻膠，聚酰亞胺，薄光刻膠層的雙面涂層，高粘度光刻膠和邊緣保護涂層。這些系統可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300 mm，矩形，正方形甚至不規則形狀的基板，而無需或只需很短的加工時間。
EVG鍵合機掩模對準系列產品，使用的是**/先進的工程工藝。天津光刻機化合物半導體應用
EVG ® 105—晶圓烘烤模塊
設計理念：單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。
特點：可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。
特征
**烘烤模塊
晶片尺寸**/大為300毫米，或同時**多四個100毫米晶片
溫度均勻性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤溫度
用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷
烘烤定時器
基材真空（直接接觸烘烤）
N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
不規則形狀的基材
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米
烤盤：
溫度范圍：≤250°C
手動將升降桿調整到所需的接近間隙
江西光刻機優惠價格EVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高**重要的光刻技術的水平。
HERCULES 光刻軌道系統技術數據：
對準方式：
上側對準：≤±0.5 μm；
底側對準：≤±1,0 μm；
紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基材
先進的對準功能：
手動對準；
自動對準；
動態對準。
對準偏移校正：
自動交叉校正/手動交叉校正；
大間隙對準。
工業自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理
曝光源：汞光源/紫外線LED光源
曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補償：全自動軟件控制；非接觸式
曝光選項：
間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
系統控制
操作系統：Windows
文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數
多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
實時遠程訪問，診斷和故障排除
光刻機軟件支持
基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經過現場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分散的全球支持機構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和
北美 (美國). HERCULES可以配置成處理彎曲，翹曲，變薄或非SEMI標準形狀的晶片和基片。
EVG101光刻膠處理系統的特征：
晶圓尺寸可達300毫米；
自動旋轉或噴涂或通過手動晶圓加載/卸載進行顯影；
利用成熟的模塊化設計和標準化軟件，快速輕松地將過程從研究轉移到生產；
注射器分配系統，用于利用小體積的光刻膠，包括高粘度光刻膠；
占地面積小，同時保持較高的人身和流程安全性；
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）。
選項功能：
使用OmniSpray®涂層技術對高形晶圓表面進行均勻涂層；
蠟和環氧涂層，用于后續粘合工藝；
玻璃旋涂（SOG）涂層。
OmniSpray涂層技術是對高形晶圓表面進行均勻涂層。四川晶圓光刻機
新型的EVG120帶有通用和全自動光刻膠處理工具，能夠處理各種形狀和尺寸達200 mm / 8“的基片。天津光刻機化合物半導體應用
EVG ® 610曝光源：
汞光源/紫外線LED光源
楔形補償
全自動軟件控制
晶圓直徑（基板尺寸）
高達100/150/200毫米
曝光設定：
真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式
曝光選項：
間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
先進的對準功能：
手動對準/原位對準驗證
手動交叉校正
大間隙對準
EVG ® 610光刻機系統控制：
操作系統：Windows
文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數
多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
實時遠程訪問，診斷和故障排除
使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線” 天津光刻機化合物半導體應用
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