綠色制造與循環經濟
公司采用水性光刻膠技術，溶劑揮發量較傳統產品降低60%，符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產，通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用，年減排VOCs（揮發性有機物）超100噸。
低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發生物基樹脂，部分產品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強度較傳統工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞，相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
吉田半導體產品矩陣。深圳水性光刻膠
先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產能力提升直接推動7nm及以下制程的國產化進程。例如，恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應12英寸產線，覆蓋7nm工藝，其工藝寬容度較日本同類型產品提升30%。這使得國內晶圓廠（如中芯國際）在DUV多重曝光技術下，能夠以更低成本實現接近EUV的制程效果，緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外，武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證，為28nm成熟制程的成本優化提供了新方案。
EUV光刻膠研發加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口，但國內企業已啟動關鍵技術攻關。久日新材的光致產酸劑實現噸級訂單，科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發。華中科技大學團隊開發的“雙非離子型光酸協同增強響應”技術，將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm，較傳統材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術儲備奠定基礎。
新型光刻技術融合
復旦大學團隊開發的功能型光刻膠，在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管，實現特大規模集成（ULSI）水平。這種技術突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設備等新興領域的應用，還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術提供了材料支撐。
江蘇納米壓印光刻膠工廠半導體材料選吉田，歐盟認證，支持定制化解決方案!
廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導體全材料領域，形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購服務。
市場與榮譽：
-
產品遠銷全球 50 多個地區，客戶包括電子制造服務商（EMS）及半導體廠商。
-
獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”，并通過技術企業認證。
-
生產基地配備自動化設備，年產能超千噸，滿足大規模訂單需求。
未來展望：
公司計劃進一步擴大研發中心規模，聚焦第三代半導體材料研發，如 GaN、SiC 相關光刻膠技術。同時，深化全球化布局，在東南亞、歐洲等地設立分支機構，強化本地化服務能力。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。
UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。
其他光刻膠
-
水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發、可定制、使用、品質保障、性能穩定的特點，重量 1L。
-
水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優勢，應用場景。
半導體材料方案選吉田，歐盟 REACH 合規，24 小時技術支持！
以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導體打造環保光刻膠，助力電子產業低碳轉型。面對全球環保趨勢，吉田半導體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REACH 法規，生產過程中通過多級廢氣處理與水循環系統，實現零排放。公司嚴格執行 8S 現場管理，工業固廢循環利用率超 90%，為新能源汽車、光伏儲能等領域提供綠色材料解決方案，成為全球客戶信賴的環保材料供應商。深圳光刻膠廠家哪家好？湖北納米壓印光刻膠供應商
光刻膠的顯示面板領域。深圳水性光刻膠
工藝流程
目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。
方法：
化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；
表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。
涂布（Coating）
方式：
旋涂：半導體/顯示領域，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm；
噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。
關鍵參數：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。
前烘（Soft Bake）
目的：揮發溶劑，固化膠膜，增強附著力和穩定性。
條件：
溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負性膠可至100℃以上）；
時間：5-30分鐘（根據膠厚調整，厚膠需更長時間）。
曝光（Exposure）
光源：
紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統光刻（分辨率≥1μm）；
深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導體先進制程（分辨率至20nm）；
極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。
曝光方式：
接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
投影式：通過物鏡聚焦（半導體，分辨率高，如ArF光刻機精度達22nm）。
深圳水性光刻膠
廣東吉田半導體材料有限公司匯集了大量的優秀人才，集企業奇思，創經濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創新天地，繪畫新藍圖，在廣東省等地區的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業的方向，質量是企業的生命，在公司有效方針的領導下，全體上下，團結一致，共同進退，齊心協力把各方面工作做得更好，努力開創工作的新局面，公司的新高度，未來吉田半導體供應和您一起奔向更美好的未來，即使現在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結經驗，才能繼續上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！
