壓控晶體振蕩器主要應用在需要小范圍調整頻率、頻率精度要求高、電壓不同／干擾較大等場景中，蜂窩基站、移頻直放站、測試設備等是VCXO的主要下游市場。壓控晶體振蕩器，成都貼片振蕩器內部結構，簡稱壓控晶振，英文簡稱VCXO，成都貼片振蕩器內部結構。VCXO是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調制的石英晶體振蕩器，是一種有源晶振。通過控制電壓改變變容二極管電容量，可以調制VCXO的震蕩頻率，因此VCXO的頻率范圍較寬，且具有電流損耗低、頻率穩定度好等優點。采用倍頻方案，成都貼片振蕩器內部結構，VCXO可實現高頻率輸出；將VCXO輸出信號與其他晶體振蕩器輸出信號混頻，其信號調諧范圍可明顯增大；VCXO作為晶體振蕩器的一種，其頻率會隨著溫度變化而發生改變，采用溫度補償法可以降低環境溫度對VCXO振蕩頻率的影響，即溫度補償壓控晶體振蕩器（TCVCXO）。品質至上，價格親民，交期保障，成都晶寶值得信賴！成都貼片振蕩器內部結構
一個“壓控石英振蕩器（voltage-controlledcrystaloscillator,VCXO）”通常被使用在下列場合：當頻率需要在小范圍內的調整時、當正確的頻率或相位對于振蕩器而言是十分重要時、利用不同電壓來當作控制源的振蕩器、用來分散在某個頻率范圍內的干擾使該頻段不受到太大的影響。壓控石英振蕩器的典型頻率變化在數十個ppm之間，這是因為高系數的石英振蕩器只會產生少量的頻率范圍位移。當射頻電路發射電波時，會有熱量產生而發生頻率漂移，而使得溫度補償壓控石英振蕩使用很廣，因為TCVCXO不會受到溫度的影響而改變其壓電特性。成都貼片振蕩器內部結構成都晶寶振蕩器品質，您可信賴的選擇！
壓控晶體振蕩器的對頻率穩定度要求壓控晶體振蕩器用石英晶體作頻率控制元件，其振蕩頻率在工作溫度內是穩定的。當我們對VCXO壓控晶體振蕩器的進行調諧時，振蕩頻率會發生改變；但偏離標稱頻率的各個頻率值在工作溫度范圍內同樣是穩定的。必須注意，對于一個給定的頻率而言，頻率穩定度要求越高，要得到大范圍的牽引度就越困難。采用硅解決方案，不能獲得良好的頻率穩定度。這是因為硅存在顫動噪聲和相位噪聲所致。VCXO壓控晶體振蕩器的采用了SMD晶振，頻率異常穩定，是目前很好的頻率控制器件。
如何正確選型壓控晶體振蕩器首先，要弄清楚具體應用場合是需要壓控晶振，還是一般的振蕩器。當設計人員希望通過外加控制電壓來對振蕩器的頻率作小范圍的調諧時，就應選用VCXO壓控晶振器件。我們把這種振蕩器調諧稱為牽引度（pullability）。牽引度用10－6數量級表示。VCXO壓控晶振牽引度的典型值為±50×10－6～±200×10－6，要得到這種范圍的牽引度，VCXO壓控晶振產品一般采用標準圓形石英晶振。為了滿足牽引度范圍大的要求，設計上須用大尺寸晶體（直接0.25英寸～0.35英寸）。此外，如果要得到大范圍的牽引度，VCXO壓控晶振產品的晶體應是基模晶體。VCXO壓控晶振的技術規范中列有多項性能參數。這些參數往往是相互關聯的。我們不能一味追求某些參數的高指標而忽視由此引起的其它參數的劣化。例如，VCXO壓控晶振的允許的頻率控制范圍就是有限制的。一般來說，如果要求VCXO壓控晶振的有較大的牽引度，則它在工作溫度范圍內的頻率穩定度就較差。反之，如果對頻率穩定度要求高，就很難得到較大的牽引度（>±200×10－6）。因此，正確了解壓控晶振的技術規范和使用要求，對于在設計上用好這種器件是很關鍵的。振蕩器專業，價格實惠，交期穩定，成都晶寶值得信賴！
壓控晶體振蕩器VCXO封裝發展趨勢是朝SMD方向發展,并且在電源電壓方面盡可能采用3.3V。該系列VCXO石英晶體振蕩器的工作頻率點是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz,頻率溫度特性±2.5ppm/－30～＋75℃,頻率電壓特性±0.3ppm/5V±5％,老化特性±1ppm/年,內部采用SMD/SMC,并采用激光束和汽相點焊方式封裝,高度為4mm。應用：移頻直放站、測試設備、蜂窩基站。小型化、薄片化和片式化：為滿足移動電話等便攜式產品輕、薄、短小的要求,石英晶體振蕩器的封裝由傳統的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉變。低功能,快速啟動,低電壓工作,低電平驅動和低電流消耗已成為一個趨勢。電源電壓一般為3.3V.許多VCXO晶振產品,電流損耗不超過2mA。石英晶體振蕩器的快速啟動技術也取得突破性進展。石英振蕩器品質好，歡迎聯系成都晶寶！上海壓控溫補振蕩器參數
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溫補晶體振蕩器中，按照頻率溫度漂移的補償方法主要分為兩種類型：直接補償和間接補償。直接補償型晶體振蕩器：這種類型的晶振采用了熱敏電阻和阻容元件，構成了一個溫度補償電路，與石英晶體振子串聯連接。在溫度變化時，熱敏電阻的電阻值和晶體的等效串聯電容值會相應變化，以抵消或減小振蕩頻率的溫度漂移。。間接補償型TCXO：這一類型的補償方式分為模擬式和數字式兩種。模擬式間接補償：采用溫度傳感元件（如熱敏電阻）組成溫度-電壓變換電路，并將其輸出電壓施加到晶體振子串聯的變容二極管上。通過改變晶體振子的串聯電容，實現對晶體振子非線性頻率漂移的補償。這種方式能夠實現高精度，達到±0.5ppm的頻率穩定度，但在低于3V的低電壓環境下可能受到一定限制。數字式間接補償：在模擬式補償電路中，引入了一級模/數（A/D）變換器，將模擬信號轉換為數字信號。這使得晶體振蕩器可以實現自動溫度補償，從而獲得非常高的頻率穩定度。不過，這種補償方式的電路更為復雜，成本也相對較高，主要用于對高精度頻率要求較高的應用，如基站和廣播電臺等領域。成都貼片振蕩器內部結構
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