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發(fā)布時(shí)間:2024-07-22
場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià),東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無窮大,東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià),可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。 場(chǎng)效應(yīng)管的用途包括放大器、開關(guān)、振蕩器、電壓控制器等。東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)
場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開關(guān)作用,作開關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開關(guān)電源開關(guān)管,MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好,對(duì)于NMOS來說,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況,也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來說,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況,也就是驅(qū)動(dòng)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖,在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管。 珠海單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管原理場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝簡(jiǎn)單,有利于大規(guī)模集成。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,其中硅是目前常見的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造,例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月,IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。
場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法:(1)準(zhǔn)備工作測(cè)量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導(dǎo)線。(2)判定電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量,S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據(jù)此很容易確定S極。(3)檢查放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用手指觸摸G極,表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 由于場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高,可以減少電路中的信號(hào)損失,因此在放大低電平信號(hào)時(shí)非常有用。
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常用的電子器件。中山J型場(chǎng)效應(yīng)管制造商
從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)
柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq;當(dāng)UGs=0時(shí),ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí),反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線,也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見,它分為三個(gè)區(qū):飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí),應(yīng)工作在飽和區(qū)(這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同)。注意,此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 東莞N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)
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