在制造三*管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流，嘉興光敏三*管原理，這股電子流稱為發(fā)射*電子流。由于基區(qū)很薄，加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電*電流Icn，嘉興光敏三*管原理，嘉興光敏三*管原理，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由基*電源Eb重新補給，從而形成了基*電流Ibn。 開關三*管可以用很小的電流，控制大電流的通斷，有較多的應用。嘉興光敏三*管原理
三*管實際放大電路三*管在實際的放大電路中使用時，還需要加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先是由于三*管BE結的非線性(相當于一個二*管)，基*電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對于硅管，常取0.7V)。當基*與發(fā)射*之間的電壓小于0.7V時，基*電流就可以認為是0。但實際中要放大的信號往往遠比0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號就不足以引起基*電流的改變(因為小于0.7V時，基*電流都是0)。如果我們事先在三*管的基*上加上一個合適的電流(叫做偏置電流，圖2中那個電阻Rb就是用來提供這個電流的，所以它被叫做基*偏置電阻)，那么當一個小信號跟這個偏置電流疊加在一起時，小信號就會導致基*電流的變化，而基*電流的變化，就會被放大并在集電*上輸出。另一個原因就是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電*電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電*有一定的電流，當輸入的基*電流變小時，集電*電流就可以減小;當輸入的基*電流增大時，集電*電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。 汕尾PCBA三*管出廠價開關三*管具有壽命長、安全可靠、沒有機械磨損、開關速度快、體積小等特點。
BVCEO是三*管基*開路時，集電*-發(fā)射*反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電*與發(fā)射*之間的電壓超過這個數(shù)值時，將可能使三*管產(chǎn)生很大的集電*電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三*管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電*大允許耗散功率。三*管在工作時，集電*電流在集電結上會產(chǎn)生熱量而使三*管發(fā)熱。若耗散功率過大，三*管將燒壞。在使用中如果三*管在大于PCM下長時間工作，將會損壞三*管。需要注意的是大功率三*管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規(guī)格散熱器情況下的參數(shù)。
三*管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射*接法為例（信號從基*輸入，從集電*輸出，發(fā)射*接地），當基*電壓UB有一個微小的變化時，基*電流IB也會隨之有一小的變化，受基*電流IB的控制，集電*電流IC會有一個很大的變化，基*電流IB越大，集電*電流IC也越大，反之，基*電流越小，集電*電流也越小，即基*電流控制集電*電流的變化。但是集電*電流的變化比基*電流的變化大得多，這就是三*管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三*管的放大倍數(shù)β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量），三*管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。 在輸入信號為零時，直流電源通過各偏置電阻為三*管提供直流的基*電流和直流集電*電流。
三*管將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基*電流為0時，集電*電流為0，燈泡滅。如果基*電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三*管的放大倍數(shù)β)，三*管就飽和，相當于開關閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用一個小電流來控制一個大電流的通斷。如果基*電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三*管未飽和之前)。但是在實際使用中要注意，在開關電路中，飽和狀態(tài)若在深度飽和時會影響其開關速度，飽和電路在基*電流乘放大倍數(shù)等于或稍大于集電*電流時是淺度飽和，遠大于集電*電流時是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態(tài)就可以提高其轉換速度。 三*管的工作狀態(tài)有四個，放大、截止、飽和、倒置。南京雙*型三*管作用
三*管其實質(zhì)是三*管能以基*電流微小的變化量來控制集電*電流較大的變化量。嘉興光敏三*管原理
三*管的電子運動原理：發(fā)射結加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射*電流IE發(fā)射結加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發(fā)射結到達基區(qū)。與此同時，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散，但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。可見，擴散運動形成了發(fā)射*電流IE。由于基區(qū)很薄，雜質(zhì)濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區(qū)的電子中只有*少部分與空穴復合，其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基*電流IB。嘉興光敏三*管原理
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