晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結�；鶇^很薄，而發射區較厚，金華平面三極管生產商，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，金華平面三極管生產商，故發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向，金華平面三極管生產商。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。三極管是一種結型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數據。金華平面三極管生產商
三極管的電子運動原理：發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE發射結加正向電壓且發射區雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發射結到達基區。與此同時，空穴也從基區向發射區擴散，但由于基區雜質濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計�？梢�，擴散運動形成了發射極電流IE。由于基區很薄，雜質濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基極電流IB。半導體三極管安裝方式三極管其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里。
判別三管極時應首先確認基極。對于NPN管，用黑表筆接假定的基極，用紅表筆分別接觸另外兩個極，若測得電阻都小，約為幾百歐~幾千歐；而將黑、紅兩表筆對調，測得電阻均較大，在幾百千歐以上，此時黑表筆接的就是基極。PNP管，情況正相反，測量時兩個PN結都正偏的情況下，紅表筆接基極。 實際上，小功率管的基極一般排列在三個管腳的中間，可用上述方法，分別將黑、紅表筆接基極，既可測定三極管的兩個PN結是否完好（與二極管PN結的測量方法一樣），又可確認管型。
三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關系，它們遵循著所謂的“加倍規則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。盟科電子高溫三極管做的很不錯。
雙極型三極管的電流傳輸關系：發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。三極管的口訣：三顛倒，找基極；PN結，定管型；順箭頭，偏轉大；測不準，動嘴巴。珠海貼片三極管哪家好
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的元件。金華平面三極管生產商
NPN型三極管，穿透電流的測量電路。根據這個原理，用萬用電表的黑、紅表筆顛倒測量兩極間的正、反向電阻Rce和Rec，雖然兩次測量中萬用表指針偏轉角度都很小，但仔細觀察，總會有一次偏轉角度稍大，此時電流的流向一定是：黑表筆→c極→b極→e極→紅表筆，電流流向正好與三極管符號中的箭頭方向一致順箭頭，所以此時黑表筆所接的一定是集電極c，紅表筆所接的一定是發射極e。對于PNP型的三極管，道理也類似于NPN型，其電流流向一定是：黑表筆→e極→b極→c極→紅表筆，其電流流向也與三極管符號中的箭頭方向一致，所以此時黑表筆所接的一定是發射極e，紅表筆所接的一定是集電極c。金華平面三極管生產商
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