場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源*S，黑表筆接漏*D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S*間電阻值。然后用手指捏柵*G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵*上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S*間電阻發生變化，上海N型場效應管原理，可觀察到表針有較大幅度的擺動，上海N型場效應管原理。如果手捏柵*時表針擺動很小，上海N型場效應管原理，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。場效應管的抗輻射能力強。上海N型場效應管原理
用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源*與漏*、柵*與源*、柵*與漏*、柵*Ｇ1與柵*Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷*。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵*Ｇ1與Ｇ2之間、柵*與源*、柵*與漏*之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵*在管內斷*，可用元件代換法進行檢測。寧波單級場效應管分類場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。
場效應管的歷史:場效應晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權限期結束后不久，威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應并闡釋了機理。隨后，在20世紀80年代，半導體器件(即結型場效應晶體管)才逐漸發展起來。1950年，日本工程師西澤潤一和渡邊發明了點種結型場效應管一一靜電感應晶體管 (SIT)。靜電感應晶體管是一種短溝道結型場效應管。1959年，由圣虎達溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發明的金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結型場效應管，并對數字電子發展產生了深遠的影響。
場效應管與雙*性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵*基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基*必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流*小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源*和漏*在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵一一源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。場效應管當柵壓為零時有較大漏*電流的稱為耗盡型。
場效應管大功率如何使用：為了防止場效應管柵*感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源*;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態,焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等。在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。上海N型場效應管原理
結型場效應管可以被用來做恒流集成二*管或者定值電阻。上海N型場效應管原理
場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單*型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏*電流）；場效應管的輸入端電流*小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三*管組成放大電路的電壓放大系數；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。上海N型場效應管原理
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