半導體三*管也稱為晶體三*管，可以說它是電子電路中重要的器件。它主要的功能是電流放大和開關作用。三*管顧名思義具有三個電*。二*管是由一個PN結構成的，而三*管由兩個PN結構成，共用的一個電*成為三*管的基*（用字母b表示）。其他的兩個電*成為集電*（用字母c表示）和發射*（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三*管，揚州原裝三*管廠家供應，另一種是PNP型的三*管。三*管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三*管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三*管的外觀，有一個箭頭的電*是發射*，箭頭朝外的是NPN型三*管，而箭頭朝內的是PNP型，揚州原裝三*管廠家供應。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。三*管按工作頻率分：低頻管，揚州原裝三*管廠家供應、高頻管、超頻管。揚州原裝三*管廠家供應
在制造三*管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射*電子流。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電*電流Icn，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基*電源Eb重新補給，從而形成了基*電流Ibn。揚州小功率三*管使用注意事項盟科電子MMBT5401可以用在藍牙音箱領域。
三*管的發明晶體三*管出現之前是真空電子三*管在電子電路中以放大、開關功能控制電流。真空電子管存在笨重、耗能、反應慢等缺點。二戰時，上急切需要一種穩定可靠、快速靈敏的電信號放大元件，研究成果在二戰結束后獲得。早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應用的是鍺晶體三*管。硅晶體出現后，由于硅管生產工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。經半個世紀的發展，三*管種類繁多，形貌各異。小功率三*管一般為塑料包封；大功率三*管一般為金屬鐵殼包封。
三*管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經C1耦合到VT的基*，使VT的基*電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發射*電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產生隨之變化的壓降U2。U2經C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射*跟隨放大器，簡稱射*跟隨器。通過以上分析可知，共集電*放大器的輸入信號Ui是從放大器的基*、發射*之間輸入的，輸出信號Uo取自發射*。由于U2等于Ub0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。三*管按結構工藝分：合金管、平面管。
三*管的運用：（1）NPN型三*管，適合射*接GND集電*接負載到VCC的情況。只要基*電壓高于射*電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三*管即可開始導通�；�*用高電平驅動NPN型三*管導通（低電平時不導通）；基*除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND；優點是：①使基*控制電平由高變低時，基*能夠更快被拉低，NPN型三*管能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基*是確定的低電平。（2）PNP型三*管，適合射*接VCC集電*接負載到GND的情況。只要基*電壓低于射*電壓（此處為VCC）0.7V，即發射結反偏（VBE為負），PNP型三*管即可開始導通�；�*用低電平驅動PNP型三*管導通（高電平時不導通）；基*除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC。三*管，全稱應為半導體三*管，也稱雙*型晶體管、晶體三*管，是一種控制電流的半導體器件。杭州光敏三*管參數
晶體三*管（以下簡稱三*管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。揚州原裝三*管廠家供應
三*管有90×&TImes;系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31（低頻小功率鍺管）等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產的晶體管有一套命名規則，電子工程技術人員和電子愛好者應該了解三*管符號的含義。符號的一部分“3”表示三*管。符號的二部分表示器件的材料和結構：A一一PNP型鍺材料；B一一NPN型鍺材料；C一一PNP型硅材料；D一一NPN型硅材料。符號的三部分表示功能：U一一光電管；K一一開關管；X一一低頻小功率管；G一一高頻小功率管；D一一低頻大功率管；A一一高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。揚州原裝三*管廠家供應
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