場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，廣州貼片場效應管參數，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，廣州貼片場效應管參數，則說明管是壞的，廣州貼片場效應管參數。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。場效應管的失真多為偶次諧波失真，聽感好。廣州貼片場效應管參數

場效應管大功率電路：(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮.溫州結型場效應管場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。

場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。

場效應管場效晶體管（場效應晶體管、場效應管)是一種用電場效應來控制電流的電子器件。場效應晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導率。場效應晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應晶體管(MOSFET) 的結構和工作原理而制成的傳感器。即，場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現已有許多不同類型的場效應晶體管。場效應晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

貼片場效應管:1：場效應管是電壓控制器件，管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應管漏源靜態伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關系由放大系數β決定。也就是說，場效應管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。4：場效應管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導電時輸入電流較大。5：一般場效應管功率較小，晶體管功率較大。場效應管當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。溫州結型場效應管

場效應管因而被普遍用于大規模和超大規模集成電路中。廣州貼片場效應管參數

場效應管：當帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發生識別并形成復合物時，或生物分子在離子敏感膜上發生生化反應形成有離子型產物(如H+) 時，將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變，從而改變離子敏感膜電位，這就相當于通過外電源調節柵極電壓，達到控制源極與漏極之間的溝道電流的目的。而且，柵極敏感膜上的生物分子吸附量與漏極輸出電流在一定范圍內有線性相關性。因此，通過測量漏極電流大小就可以定量分析發生在柵極離子敏感膜上的生物反應，這些生物反應包括核酸雜化、蛋白質作用、抗體抗原結合，以及酶底物反應。廣州貼片場效應管參數

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