VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件，珠海貼片場效應管生產。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1，珠海貼片場效應管生產，珠海貼片場效應管生產.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。源極(S)，載流子經過源極進入溝道。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示。珠海貼片場效應管生產
場效應管場效晶體管（場效應晶體管、場效應管)是一種用電場效應來控制電流的電子器件。場效應晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導率。場效應晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應晶體管(MOSFET) 的結構和工作原理而制成的傳感器。即，場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現已有許多不同類型的場效應晶體管。場效應晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。杭州非絕緣型場效應管原理場效應管可以用作可變電阻。
場效應管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。
場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。在增強型場效應晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場效應晶體管類似的類型。場效應晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區分。場效應晶體管的類型包括:結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應晶體管。場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。
場效應管電阻法測電極:根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。場效應管電子遷移在固體晶格中，有無規則運動。珠海貼片場效應管生產
柵極(G)，調制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。珠海貼片場效應管生產
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