它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力，山東快恢復晶閘管模塊廠家、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，山東快恢復晶閘管模塊廠家，僅當黑表筆接G極，山東快恢復晶閘管模塊廠家。正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩定。山東快恢復晶閘管模塊廠家
它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓，從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合，當LSR由通態關斷時，由于電流、電壓的相位不一致，將產生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態，只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表：電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。山東快恢復晶閘管模塊廠家正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。
特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司，廠家直銷，質量，價格有保證！如果您需要相關型號資料，電壓電流，封裝尺寸大小，可以隨時給您發送該產品的PDF文檔，供您參考！如果您訂購量大，并且有長期合作意向，可免費先給您發樣品！三天內發貨！如果產品裝機配型不適用，可退換貨！博飛宏大，給您滿意貼心的服務，是我們一貫的宗旨！公司主頁：歡迎您到廠參觀！北京博飛宏大電子科技有限公司，有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的高新技術企業，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。
1、過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是最簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現的過電壓。模塊的過壓保護，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時，和開關電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產生過電壓。正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。大連蓄電池充放電穩流穩壓模塊
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晶閘管模塊的散熱方法
晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。
選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：
1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。
2、晶閘管模塊的使用環境。根據使用環境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻、強制風冷和水冷。
3、設備的形狀和體積，為散熱預留空間的大小，根據這種情況來確定散熱器的形狀。 山東快恢復晶閘管模塊廠家
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