紅表筆接K時(shí)，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K，剩下的就是A。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，先將表Ⅰ的黑表筆接A，紅表筆接K，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G，黑表筆接K，施以負(fù)向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1一表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2一表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊。不需要具體計(jì)算IAT，內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊，內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊、IG之值，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)專家！內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊

    硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電，電之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因?yàn)檎�常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次�?shù)，標(biāo)稱電壓值不會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。

    簡稱過零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡稱隨機(jī)型）；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，于隨機(jī)型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號方式不同，過零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)通的條件不同。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號時(shí)，隨機(jī)型LSR負(fù)載輸出端立即導(dǎo)通（速度為微秒級），而過零型LSR則要等到負(fù)載電壓過零區(qū)域(約±15V)時(shí)才開啟導(dǎo)通。當(dāng)輸入端撤消控制信號后，過零型和隨機(jī)型LSR均在小于維持電流時(shí)關(guān)斷，這兩種類型的關(guān)斷條件相同。雖然過零型LSR有可能造成比較大半個(gè)周期的延時(shí)，但卻減少了對負(fù)載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾，在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形，成為理想的開關(guān)器件，在“單刀單擲”的開關(guān)場合中應(yīng)用為。隨機(jī)型LSR的特點(diǎn)是反應(yīng)速度快。

    在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽和陰取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms；3.德國經(jīng)典觸發(fā)及保護(hù)電路，全正弦波切換，運(yùn)行安全無諧波；4.特有專利散熱片，無軸流風(fēng)機(jī)，主動散熱，運(yùn)行無噪聲，組件免維護(hù)，使用壽命長；5.內(nèi)置過溫（85℃）保護(hù)；6.三色LED信號燈分別顯示開關(guān)通電狀態(tài)、運(yùn)行狀態(tài)、故障狀態(tài)；7.兼容性強(qiáng)，可與各種規(guī)格無功補(bǔ)償控制器配套；8.導(dǎo)通壓降低，開關(guān)損耗小，降低用戶能耗。正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供化服務(wù)。

    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價(jià)格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對制造、檢測、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。內(nèi)蒙古行車可控硅集成調(diào)壓模塊

正高電氣運(yùn)用高科技，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨。內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊

    六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽A與陰K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門觸發(fā)電壓VGT門觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電壓，一般為。(八)晶閘管門觸發(fā)電流IGT門觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電流。(九)晶閘管門反向電壓門反向電壓是指晶閘管門上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管會自動關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR，是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值，一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRRM，是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值，一般小于100μA。內(nèi)蒙古鋼鐵廠可控硅集成調(diào)壓模塊

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在山東省淄博市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為行業(yè)的翹楚，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將正高電氣供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針，員工精誠努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場，我們一直在路上！