由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的快,即di/dt大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數(shù)值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率,內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊,以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣為企業(yè)打造高水準、高質量的產品。內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊
在快速無功補償和諧波濾波裝置中,要用晶閘管投切電容器TSC,。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應用場合的不同,有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結構型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式,觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點觸發(fā),確定晶閘管電壓過零點的方法有兩種,一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號,另一種是從晶閘管的陽和陰取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關鍵技術是必須做到投切時無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產品優(yōu)勢特點1.電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,無沖擊電流;2.光電隔離,抗干擾能力強,響應時間<15ms;3.德國經(jīng)典觸發(fā)及保護電路,全正弦波切換,運行安全無諧波;4.特有專利散熱片,無軸流風機,主動散熱,運行無噪聲,組件免維護,使用壽命長;5.內置過溫(85℃)保護;6.三色LED信號燈分別顯示開關通電狀態(tài)、運行狀態(tài)、故障狀態(tài);7.兼容性強,可與各種規(guī)格無功補償控制器配套;8.導通壓降低,開關損耗小,降低用戶能耗。內蒙古工業(yè)窯爐單相整流調壓模塊正高電氣展望未來,信心百倍,追求高遠。
1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,焊接層無空洞,導熱性能好。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,導熱底板不帶電.絕緣強度≥2500V(RMS),人身安全。
六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下,當通過晶閘管的電流為額定電流時,其陽A與陰K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門觸發(fā)電壓VGT門觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門直流電壓,一般為。(八)晶閘管門觸發(fā)電流IGT門觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門直流電流。(九)晶閘管門反向電壓門反向電壓是指晶閘管門上所加的額定電壓,一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時,導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復峰值電流IDR斷態(tài)重復峰值電流IDR,是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值,一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復峰值電流IRRM反向重復峰值電流IRRM,是指晶閘管在關斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值,一般小于100μA。正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。
下面描述中的附圖是本發(fā)明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明,但應當說明的是,這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護范圍之內。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制。所述晶閘管單元包括:壓塊7、門壓接式組件8、導電片9、第二導電片10、瓷板11。其中,所述壓塊7設置于所述門壓接式組件8上,并通過所述門壓接式組件8對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述導電片9、第二導電片10、瓷板11依次設置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述導電片9、第二導電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。正高電氣公司狠抓產品質量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。內蒙古工業(yè)窯爐可控硅集成調壓模塊
正高電氣公司可靠的質量體系和經(jīng)營管理體系,使產品質量日趨穩(wěn)定。內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊
晶閘管模塊
晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點,自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞,并得到了大的發(fā)展。
晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導通角,負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。
模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關系到產品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 內蒙古工業(yè)窯爐穩(wěn)壓模塊
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