單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器（英文名稱(chēng)為L(zhǎng)oncontSolid-StateRelay，簡(jiǎn)稱(chēng)LSR）。它為單刀單擲常開(kāi)式結(jié)構(gòu)，用LED顯示工作狀態(tài)。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來(lái)的一種新型無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)器件。它可以實(shí)現(xiàn)用微弱的控制信號(hào)(幾毫安到幾十毫安)控制0．1A直至幾百A電流負(fù)載，進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)啵�威海大功率晶閘管模塊價(jià)格。它為四端有源器件，兩個(gè)輸入控制端，兩個(gè)負(fù)載輸出端，威海大功率晶閘管模塊價(jià)格，威海大功率晶閘管模塊價(jià)格，輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián)，輸入輸出之間為光電隔離，內(nèi)置RC吸收回路，輸入端加上直流或脈沖信號(hào)，輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài)。整個(gè)器件沒(méi)有任何可動(dòng)部件或觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能。固態(tài)繼電器工作可靠，無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)火花、壽命長(zhǎng)、無(wú)噪聲，無(wú)電磁干擾，開(kāi)關(guān)速度快，抗干擾能力強(qiáng)，且體積小，耐振動(dòng)、耐沖擊，防爆、防潮、防，能與TTL、DTL、HTL等邏輯電路兼容，以微小的控制信號(hào)達(dá)到直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載的目的。固態(tài)繼電器目前已應(yīng)用于計(jì)算機(jī)外圍接口裝置，烘箱烘道加溫控溫恒溫系統(tǒng)；數(shù)控機(jī)械、遙控系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化裝置；信號(hào)燈、交通燈、閃爍器、照明舞臺(tái)燈光控制系統(tǒng)；儀器儀表、醫(yī)療器械、印染、塑料加工、辦公設(shè)備；自動(dòng)消防，保安系統(tǒng)等等。正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。威海大功率晶閘管模塊價(jià)格

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒(méi)有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶(hù)采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來(lái)回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤(rùn)。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電與銅排連接時(shí)。棗莊雙向晶閘管模塊組件正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。

    當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類(lèi)：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高，在空載情況下斷開(kāi)回路將會(huì)有更高的過(guò)電壓。。2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。。

    大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長(zhǎng)8...展開(kāi)全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S)。正高電氣公司將以的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶(hù)攜手并進(jìn)！

    3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過(guò)電壓也越大。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過(guò)電壓源，并使過(guò)電壓幅值衰減；過(guò)電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)和陰之間。吸收電路比較好選用無(wú)感電容，接線應(yīng)盡量短。。5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，過(guò)電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。棗莊雙向晶閘管模塊組件

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    產(chǎn)生足夠大的電電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的電電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1一1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)�通狀態(tài)。式（1一1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門(mén)已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)。威海大功率晶閘管模塊價(jià)格

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