晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來(lái)晶閘管智能模塊能可靠工作。

過(guò)熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，山東MTAC220晶閘管智能模塊，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會(huì)引起芯片溫度上升，山東MTAC220晶閘管智能模塊，山東MTAC220晶閘管智能模塊，溫度過(guò)高后，會(huì)使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過(guò)熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來(lái)及時(shí)散除晶閘管工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過(guò)75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。山東MTAC220晶閘管智能模塊

    在緩慢放大面板上“給定”電位器的操作中，應(yīng)密切注意電流表的反應(yīng)，若電流表的指示迅速增大，則應(yīng)迅速把“給定”電位器逆時(shí)針旋下來(lái)，此時(shí)表明電流取樣電路有問(wèn)題，系統(tǒng)處于電流開環(huán)狀態(tài)，應(yīng)檢查電流互感器是否接對(duì)，特別是5A：、付邊是否接反，Ω電阻是否接上，正常的表現(xiàn)是隨著“給定”電位器的緩慢加大，電流表的指示也跟著增大，當(dāng)停止旋轉(zhuǎn)“給定”電位器時(shí)，電流表的指示能穩(wěn)定的停在某一刻度上。當(dāng)出現(xiàn)直通現(xiàn)象時(shí)，把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋大，使電流表的指示接近額定值的50%左右。用交流電壓表測(cè)量CON2-3、CON2-4、CON2-5三個(gè)接線端子間的電壓，三個(gè)電壓應(yīng)該是大致相等的，若相差太大，說(shuō)明電流互感器的同名端接錯(cuò)，必須改對(duì)，否則會(huì)影響電流調(diào)節(jié)器的正常工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋到頭，電流表的指示應(yīng)接近額定值，逆時(shí)針調(diào)節(jié)主控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流電流表指示到額定輸出電流，完成了額定電流的整定。這樣整流橋的測(cè)試就基本完成，可以進(jìn)行逆變橋的調(diào)試。需要指出的是，當(dāng)平波電抗器的直流電阻較小時(shí)，在直通狀態(tài)下作額定電流的整定，會(huì)出現(xiàn)直流電流振蕩的現(xiàn)象，可在直流回路里串一點(diǎn)電阻加以解決。另外。山東MTAC220晶閘管智能模塊正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。

    晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，原名可控硅整流器（SCR），簡(jiǎn)稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電分別為陽(yáng)A、陰K和控制G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陽(yáng)和陰之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制斷開的條件下，保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小正向電流。3）門觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制所需的小電壓，一般為1~5V。4）門觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制所需的小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復(fù)峰值電壓。在控制斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復(fù)峰值電壓。6）正向重復(fù)峰值電流。在控制斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。

    逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后，仍然起動(dòng)不起來(lái)。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測(cè)量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當(dāng)增大逆變換相引前角），此步整定的是小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當(dāng)然，過(guò)小的逆變換相此前角會(huì)使逆變換相失敗，表現(xiàn)為中頻電壓升高時(shí)，會(huì)出現(xiàn)重復(fù)起動(dòng)。再把DIP-2開關(guān)打在ON位置，調(diào)節(jié)主控板上W3微調(diào)電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據(jù)不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。正高電氣擁有的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。山東MTAC220晶閘管智能模塊

正高電氣擁有業(yè)內(nèi)人士和高技術(shù)人才。山東MTAC220晶閘管智能模塊

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結(jié)，這個(gè)電流起了門觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說(shuō)的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。山東MTAC220晶閘管智能模塊

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