可控硅模塊特點：
1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓，貴州反并聯可控硅模塊廠家。
2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。
3 對通態電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，貴州反并聯可控硅模塊廠家，應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小，貴州反并聯可控硅模塊廠家。
5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業務洽談。貴州反并聯可控硅模塊廠家
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？
可控硅模塊導通的條件是陽承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽電流達到維持直通狀態所需的較小的陽電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：
1.將正電壓降低至數值，或添加反向陽電壓。
2.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您 貴州反并聯可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司產品暢銷國內。
雙向可控硅第 一陽A1與第二陽A2間，無論所加電壓性是正向還是反向，只要控制G和第 一陽A1間加有正負性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第 一陽A1、第二陽A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。
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可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電直接與BG1的基相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。
由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化 地理位置優越，交通十分便利。
可控硅模塊的用途
可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當于或類似于可控制的單向（或雙向）二管，利用其可控功能，實現了弱電流對強電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結構簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優點。晶閘管可用于下列過程：
1、可控整流：將交流電轉換成可調直流電；
2、逆變器：將直流電轉換成交流電；
3、變頻：將一個頻率的交流電轉換為另一個頻率的交流電或可調頻率的交流電；
4、交流調壓：將固定交流電壓轉換為有效值可調的交流電壓；
5、斬波：將固定直流電壓轉換為平均可調直流電壓；
6、無觸點通斷：用無觸點開關代替交流接觸器實現開關控制。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。貴州反并聯可控硅模塊廠家
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過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。
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