750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門觸發(fā)電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K，紅表筆接A（參見圖3(a)），淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家，電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二管短路；電阻為無窮大，說明二管開路。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值。3．檢查觸發(fā)能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K間反向電阻，淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家，同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二管的反向?qū)妷篤TR（實際是二管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應遠離發(fā)熱元件。正高電氣一起不斷創(chuàng)新、追求共贏、共享全新市場的無限商機。淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家
晶閘管模塊產(chǎn)品特點：
1、芯片與基板電絕緣，電壓2500V；
2、 標準封裝；
3、壓接結(jié)構，優(yōu)良的溫度特性和動力循環(huán)能力；
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；
5、200A以下為強制風冷，300A以上模塊，可以選擇風冷或水冷。
6、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。
典型應用：
直流電源、交流開關、焊接設備、電機控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點開關、電機軟起動、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家正高電氣秉承團結(jié)、奮進、創(chuàng)新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。
由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的快，即di/dt大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。
晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三管和一個NPN型三管的復合管當晶閘管承受正向陽電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽電流等于兩管的集電電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門電流為Ig,則晶閘管陰電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1一1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽電壓，而門未受電壓的情況下，式（1一1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽電壓下。從門G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2。正高電氣智造產(chǎn)品，制造品質(zhì)是我們服務環(huán)境的決心。
晶閘管模塊
晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點，自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞，并得到了大的發(fā)展。
晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問，存在導通角，負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。
模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家
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紅表筆接K時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K，剩下的就是A。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，先將表Ⅰ的黑表筆接A，紅表筆接K，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通；脫開G，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G，黑表筆接K，施以負向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1一表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2一表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是。不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。淄博高壓晶閘管模塊生產(chǎn)廠家
淄博正高電氣有限公司一直專注于可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,固態(tài)繼電器,智能可控硅調(diào)壓模塊,晶閘管調(diào)壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調(diào)壓模塊,移相觸發(fā)板,調(diào)壓模塊,晶閘管智能調(diào)壓模塊,單相觸發(fā)板，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己獨立的技術體系。公司目前擁有高技術人才51~100人人，以不斷增強企業(yè)重點競爭力，加快企業(yè)技術創(chuàng)新，實現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。公司以誠信為本，業(yè)務領域涵蓋[ "可控硅模塊", "晶閘管智能模塊", "觸發(fā)板", "電力調(diào)整器" ]，我們本著對客戶負責，對員工負責，更是對公司發(fā)展負責的態(tài)度，爭取做到讓每位客戶滿意。公司力求給客戶提供全數(shù)服務，我們相信誠實正直、開拓進取地為公司發(fā)展做正確的事情，將為公司和個人帶來共同的利益和進步。經(jīng)過幾年的發(fā)展，已成為[ "可控硅模塊", "晶閘管智能模塊", "觸發(fā)板", "電力調(diào)整器" ]行業(yè)出名企業(yè)。
