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黑龍江反并聯可控硅模塊分類 淄博正高電氣供應

發貨地點:山東省淄博市

發布時間:2024-07-03

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可控硅模塊的分類:

1、以關斷、導通及控制方式來分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅,黑龍江反并聯可控硅模塊分類、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和性來分類:可控硅按其引腳和性可分為二可控硅、三可控硅和四可控硅。

3,黑龍江反并聯可控硅模塊分類、以封裝形式來分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關斷速度來分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅,黑龍江反并聯可控硅模塊分類。

6、過零觸發,一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅參數介紹

7、非過零觸發,無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發。

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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽:一陽A1(T1),二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。

  只有當單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓,同時控制G與陰間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓,仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 黑龍江反并聯可控硅模塊分類淄博正高電氣有限公司推行現代化管理制度。

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可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環負載次數是國標的進10倍,焊接工藝獨特,絕緣強度高,導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無性氣體、通風、無塵,環境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟:  1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風或熱水加熱收縮,導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電易掀起折斷,接線時應防止重力將電拉起折斷。

可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。現在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電:層P型半導體引出的電叫陽A,第三層P型半導體引出的電叫控制G,第四層N型半導體引出的電叫陰K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制G,這就使它具有與二管完全不同的工作特性。地理位置優越,交通十分便利。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

我們愿與您共同努力,共擔風雨,合作共贏。黑龍江反并聯可控硅模塊分類

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可控硅模塊的作用和優勢大家都知道,它的應用范圍是非常廣的,在不同設備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。


在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制外加觸發脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。 黑龍江反并聯可控硅模塊分類

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