可控硅模塊的作用和優勢大家都知道,它的應用范圍是非常廣的,在不同設備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制外加觸發脈沖Ug時,青海雙向可控硅模塊配件,可控硅模塊被觸發導通,青海雙向可控硅模塊配件。只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,青海雙向可控硅模塊配件,可控硅模塊導通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司產品暢銷國內。青海雙向可控硅模塊配件
可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。
3 對通態電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 青海雙向可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司始終以適應和促進發展為宗旨。
實際上,可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結溫,而相當高殼溫Tc是限定的,由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置)。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,分別控制風機的開啟或主回路的通斷(停機),就可以有效地晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。
需要指出的是,溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環境、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正接CON10V或CON20mA,負接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司憑借多年的經驗,依托雄厚的科研實力。
任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:
1 可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。
2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。
3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度
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雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩為陰陽,而是稱作T1和T2,G為控制,其控制上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制導通,但是觸發靈敏度互不相同,即雙向可控硅能進入導通狀態的較小門電流IGT是有區別的。
2.可控硅過載的保護
可控硅元件優點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制將不起作用;
(2)可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取;
(3)為控制可靠觸發,加到控制的觸發電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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