硅碳棒的因為其穩定的效果被普遍的使用與電爐中，可以比較穩定的提供熱源，那么從電學來看它是怎樣應用的呢？ 硅碳棒是在碳化硅sic棒中通電，加熱到1000℃左右，用于1 -25微米，波長范圍的紅外光源，一般銷售的硅碳棒在直徑6.2毫米、長度100毫米的棒的中央設置直徑為6.2毫米、長度為20毫米的熱輻射區域，河北粗端式硅碳棒經銷商，這種硅碳捧能得到與同一溫度的黑體輻射相當接近的熱輻射，平均光譜發射率可達0.88左右，輸入功率130瓦（電壓11伏，河北粗端式硅碳棒經銷商，河北粗端式硅碳棒經銷商，電流12安）時，能得到1000K的分布溫度。 硅碳棒是簡便的紅外光源，作為光聲光譜用的光源，其輻射束強度低1個數量級以上，為此，輸入功率更高，并在高溫下工作的白熾碳棒被用作光聲光譜的光源。
影響硅碳棒使用壽命的主要因素: ① 使用溫度 硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。 ②表面負荷 表面負荷密度指棒的發熱部單位表面積所允許承載的額定功率。 表面負荷密度=額定功率（W）/ 發熱部表面積（cm2） 實踐證明：負荷密度大則發熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負荷密度、爐內氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。
一般在制作硅碳棒時的次燒結，都是將碳化硅生料和瀝青、焦油等粘合劑攪拌均勻，并用擠壓機擠壓成型，然后在隧道窯中直接進行燒結，這種做法會有一定的缺點。現在給大家介紹一下新的制作工藝。 新的工藝在次燒結時是將擠壓成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分鐘5~10攝氏度的升溫速度，從常溫升到350攝氏度，在350攝氏度保溫30分鐘，使胚件各部位均勻的達到此溫度，再以每分鐘10攝氏度的速度升溫至920攝氏度，在920攝氏度時保溫30分鐘，可以將殘留的摻合物雜質排清，得到較為理想的硅化碳燒結物。這種燒結方法在粗真空中進行，各種雜質成分易揮發，一次殘留的雜質少。 第二次燒結式的原理是在碳化硅胚料的周圍用碳化硅粉末包圍起來，圍用其他埋料，這樣在高溫時不形成還原性氣氛，而且使碳化硅胚料表面與新生成的碳化硅分子隔離開來，隔離物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子與碳化硅埋料起作用，而保護了里面的碳化硅。 新的工藝簡單操作而且將硅碳棒的雜質盡可能的減少，提高了產品的性能。同時在質量上又是一個新的提升。提高了整體的品質與使用年限。
